[發(fā)明專利]具有改善出光率的LED芯片及其制作工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710044095.7
• 申請日: 2007-07-20
• 公開（公告）號: CN101350384A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝茂盛;邵春林
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宇體光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 張政權(quán)

1.一種制造LED芯片的方法，包括以下步驟：

形成襯底；

形成第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體材料層；

形成活性發(fā)光層；

形成第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體材料層；

在LED芯片的非幾何邊緣位置，通過選擇性刻蝕除去部分第二半導(dǎo)體材料層和活性發(fā)光層，從而暴露出部分第一半導(dǎo)體材料層；

在暴露的第一半導(dǎo)體材料層上形成與之電連接的第一電極；

在第二半導(dǎo)體材料層上形成與之電連接的第二電極，其中所述第二電極由透明電極和位于透明電極局部區(qū)域的第一加厚電極組成，所述透明電極環(huán)繞所述第一電極。

2.如權(quán)利要求1所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述第二電極還包括條狀加厚電極，所述條狀加厚電極被設(shè)置于LED芯片的幾何邊緣處并與所述第一加厚電極電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述LED芯片的非幾何邊緣位置是指包括LED芯片的幾何中心位置在內(nèi)的由條狀加厚電極組成的框范圍內(nèi)的所有區(qū)域。

4.如權(quán)利要求1所述的制造LED芯片的方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體材料層是N型半導(dǎo)體材料層，所述第二半導(dǎo)體材料層是P型半導(dǎo)體材料層。