[發明專利]一種提高刻蝕深度精確度的方法無效

申請號：	200710044059.0	申請日：	2007-07-20
公開（公告）號：	CN101350289A	公開（公告）日：	2009-01-21
發明（設計）人：	牟睿;石小兵	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/00	分類號：	H01L21/00
代理公司：	上海智信專利代理有限公司	代理人：	王潔
地址：	201203***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種提高刻蝕深度精確度方法
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【權利要求書】：

1.一種提高刻蝕深度精確度的方法，其特征在于包括如下步驟：步驟1，將產品根據曝光率分類；步驟2，根據產品的曝光率分類，套用不同的刻蝕程式。

2.如權利要求1所述的一種提高刻蝕深度精確度的方法，其特征在于：所述步驟1進一步地是指將產品根據曝光率分類，即按照產品的曝光率為45％～55％，55％～65％，65％～75％，75％～85％進行分類。

3.如權利要求1所述的一種提高刻蝕深度精確度的方法，其特征在于：所述步驟2進一步地是指根據產品的曝光率分類，套用不同的刻蝕程式，即曝光率為45％～55％的產品按照程式PLG18-STI73進行刻蝕；曝光率為55％～65％的產品按照程式PLG18-STI71進行刻蝕；曝光率為65％～75％的產品按照程式PLG18-ST101進行刻蝕；曝光率為75％～85％的產品按照程式PLG18-STI72進行刻蝕。

4.如權利要求3所述的一種提高刻蝕深度精確度的方法，其特征在于：所述程式PLG18-STI73對應的刻蝕時間為70秒；所述程式PLG18-STI71對應的刻蝕時間為72.5秒；所述程式PLG18-STI01對應的刻蝕時間為74秒；所述程式PLG18-STI72對應的刻蝕時間為76秒。

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