[發明專利]一種改善晶片研磨不足厚度偏厚的方法及裝置有效
| 申請號： | 200710044058.6 | 申請日： | 2007-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN101347923A | 公開（公告）日： | 2009-01-21 |
| 發明（設計）人： | 張連伯;馮慶安;張淑艷;汪志宇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;B24B29/00;B24B7/22;B24B55/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 晶片 研磨 不足 厚度 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善晶片研磨不足厚度偏厚的裝置，其結構至少包括：第一研磨盤，第二研磨盤，第三研磨盤，第一控制閥(5)，第二控制閥(6)，第三控制閥(7)，研磨系統內高壓水清潔系統，研磨系統內高壓水清潔系統控制閥(4)，其特征在于：在控制閥組和所述研磨系統內高壓水清潔系統控制閥之間增加兩個控制閥，所述控制閥組包括所述第一控制閥(5)，所述第二控制閥(6)，所述第三控制閥(7)；以及
所述兩個控制閥為兩個氣控閥，每個氣控閥有3個端口，分別為端口A、端口B、端口C，只有當所述端口A和端口B同時導通的時候，氣控閥才導通，即端口C導通，第一氣控閥(9)的A端、B端分別與所述第一控制閥(5)、所述第二控制閥(6)相連，第二氣控閥(10)的A端、B端、C端分別與所述第一氣控閥(9)的C端、所述第三控制閥(7)、所述研磨系統內高壓水清潔系統控制閥(4)相連；或所述兩個控制閥為兩個與閥，每個與閥有3個端口，分別為端口D、端口E、端口F，只有當所述端口D和端口E同時導通的時候，與閥才導通，即端口F導通，第一與閥(11)的D端、E端分別與所述第一控制閥(5)、所述第二控制閥(6)相連，第二與閥(12)的D端、E端、F端分別與所述第一與閥(11)的F端、所述第三控制閥(7)、所述研磨系統內高壓水清潔系統控制閥(4)相連。
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