[發明專利]鋁合金中雜質元素硅的去除方法

無效

• 申請號: 200710043984.1
• 申請日: 2007-07-19
• 公開（公告）號: CN101086042A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 疏達;祝國梁;王俊;孫寶德
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C22C1/06
• 分類號: C22C1/06;C22C21/00
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征在于，通過在鋁合金熔體中加入含鈦物質，反應生成Ti(Al_1-xSi_x)₃或鈦硅化合物捕獲固溶鋁合金熔體中的硅元素，然后通過凈化工藝去除富硅化合物，實現熔體中硅元素的去除。

2.如權利要求1所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，包括如下步驟：

(1)將含鈦物質加入至鋁合金熔體中；

(2)在鑄造前通過過濾和/或電磁凈化工藝去除鋁液中的含硅化合物，經過精煉的鋁液隨后澆鑄成錠或直接鑄軋成板材，實現鋁液中硅元素的凈化去除。

3.如權利要求1或2所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，步驟(1)中，所述的含鈦物質，是指：含鈦化合物或鋁鈦中間合金或純鈦顆粒。

4.如權利要求3所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，所述的含鈦化合物為二氧化鈦、氟鈦酸鉀或它們的混合物。

5.如權利要求4所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，所述的含鈦化合物，其加入方式：單獨加入鋁合金熔體中，或與普通精煉劑混合均勻后一起加入。

6.如權利要求1或2所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，所述的含鈦物質，其加入量：應使得鋁合金熔體中鈦的質量百分數為0.2％-3％。

7.如權利要求3所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，所述的含鈦物質是含鈦化合物時，則以下操作步驟為：鋁合金在熔煉爐或保溫爐內熔化并在700℃-800℃保溫，通過噴粉機將烘干脫水后的含鈦化合物或含鈦化合物與普通精煉劑的混合物隨氣體N₂或Ar噴射入熔體內，并使得其在整個熔池內充分混合，鋁液在精煉后保溫30分鐘-90分鐘。

8.如權利要求3所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，所述的含鈦物質是鋁鈦中間合金或純鈦顆粒時，則以下操作步驟為：鋁合金在熔煉爐或保溫爐內熔化并在700℃-800℃保溫，加入鋁鈦中間合金或純鈦顆粒，待其熔化后進行攪拌，使得鈦元素在整個熔池內分布均勻，鋁液經精煉后保溫30分鐘-90分鐘。

9.如權利要求2所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，步驟(2)中，所述的過濾凈化工藝，具體為：將含有富硅化合物的鋁液通過規格為15ppi-40ppi的泡沫陶瓷過濾器。

10.如權利要求2所述的鋁合金中雜質元素硅的去除方法，其特征是，步驟(2)中，所述的電磁凈化工藝，具體為：將含有富硅化合物的鋁液通過孔徑為3mm-20mm的蜂窩狀陶瓷管分離器，并通過螺線管線圈施加頻率10kHz～30kHz、磁感應強度0.02T-0.10T的交變磁場。