[發明專利]一種鎘銻基p型熱電材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200710043842.5
• 申請日: 2007-07-16
• 公開（公告）號: CN101101954A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 王小軍;趙景泰;陳昊鴻;楊昕昕
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: H01L35/16
• 分類號: H01L35/16;H01L35/18;C22C29/00;C22C1/04
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• 代理人: 暫無信息

1、一種鎘銻基p型熱電材料及其制備方法，其特征在于所述的熱電材料的化學組成為：RCd_2-xZn_xSb_2-yS_y，其中R為Yb，Eu，Ca，Sr，Ba中的一種或兩種，兩種時以任意比例固溶；x為Zn的固溶組分，0≤x＜2；；S為Ge，Sn，Se，Te中的一種，y為S摻雜的實際組分，0≤y≤0.2。

2、按權利要求1所述的一種鎘銻基p型熱電材料的制備方法，其特征在于：

采用金屬Yb，Eu，Ca，Sr，Ba中一種或兩種，或金屬Yb，Eu，Ca，Sr，Ba的任何二元化合物為原料；

采用金屬Cd；Cd和Zn；或Cd和Zn與Ba，Ca，Sr，Yb，Eu的任何二元或三元化合物為原料；

采用金屬Sb或Sb與Ge，Sn，Te的任何二元或三元化合物為原料；

將按化學計量比稱量的原料放入不與原料和產物反應的容器當中，然后在真空或者惰性氣氛下700℃～1200℃下灼燒至少12小時；

灼燒后的產物冷卻后取出。

3、按權利要求2所述的一種鎘銻基p型熱電材料的制備方法，其特征在于對灼燒后的產物進行快速等離子體燒結或熱壓燒結。

4、按權利要求3所述的一種鎘銻基p型熱電材料的制備方法，其特征在于快速等離子體燒結的條件為燒結溫度300℃～600℃，壓力30～50Mpa。

5、按權利要求3所述的一種鎘銻基p型熱電材料的制備方法，其特征在于熱壓燒結溫度300℃～700℃，壓力20～60MPa。