[發明專利]一種染料敏化納米晶太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請號: 200710043706.6
• 申請日: 2007-07-12
• 公開（公告）號: CN101101969A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 陳國榮;徐華華;孫大林
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01G9/20;H01M14/00
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1、一種染料敏化納米晶太陽能電池，其特征在于以現有的染料敏化納米晶太陽能電池結構為基礎，其染料敏化層采用功能分子材料M-TCNQ，其中M為金屬Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li；TCNQ為7，7，8，8-四氰基對醌二甲烷。

2、根據權利要求1所述的染料敏化納米晶太陽能電池，其特征在于作為染料敏化層的M-TCNQ，為一種M-TCNQ，或者為一種以上的M-TCNQ的組合。

3、一種如權利要求1所述的染料敏化納米晶太陽能電池的制備方法，其特征在于為下述之一種：

①固態法：在納米TiO₂上面用真空鍍膜法鍍一層Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li中的一種或幾種，或它們的碘化物，總厚度為10～1000納米，然后用真空鍍膜法鍍一層TCNQ，厚度為10～500納米，再在80-160℃溫度下進行10-60分鐘熱處理，即形成所需要的M-TCNQ染料敏化層；

②溶液法：在納米TiO₂上面用真空鍍膜法鍍一層Cu、Ag、K、Na、Mn、Mg、Ni或Li中的一種或幾種，或它們的碘化物，總厚度為10～1000納米，然后與TCNQ的已腈飽和溶液接觸，溫度為10-60攝氏度，使之發生化學反應，生成所需要的M-TCNQ染料敏化層；

其余制備步驟與工藝與傳統的染料敏化納米晶太陽能電池相同。