[發明專利]一種改善深溝槽刻蝕的氧化物硬掩模輪廓的方法

有效

• 申請號: 200710043587.4
• 申請日: 2007-07-09
• 公開（公告）號: CN101345193A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 鐘鑫生;馮大貴;廖國彰;林新發;吳建興
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 樓仙英

1.一種改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，包括如下步驟：

a)在硅襯底上依次形成氧化物層、氮化物層、電介質層、多晶硅層；

b)形成光刻膠的深溝槽刻蝕圖案；

c)形成所述多晶硅層的開口；

d)以余下的多晶硅層為硬掩膜，形成所述電介質層、氮化物層、氧化物層的開口；

e)在d)步驟所述開口中填充光刻膠；

f)去除d)步驟所述開口中的部分光刻膠；

g)去除所述多晶硅層；

h)去除d)步驟所述開口中的全部光刻膠；

i)進行深溝槽刻蝕。

2.根據權利要求1所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，所述的電介質層是摻雜硅玻璃。

3.根據權利要求2所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，所述的摻雜硅玻璃是硼硅玻璃。

4.根據權利要求1所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，所述的電介質層是未摻雜的硅玻璃。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，采用回蝕的方法去除所述的開口中的部分所述光刻膠。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，采用化學機械研磨方法去除所述開口中的部分光刻膠。

7.根據權利要求1～4中任一項所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，采用干或濕式刻蝕方法去除所述的多晶硅層。

8.根據權利要求1～4中任一項所述的改善深溝槽刻蝕硬掩模輪廓的方法，其特征在于，采用化學機械研磨方法同時去除所述開口中的部分光刻膠和多晶硅層。