[發(fā)明專利]一種采用液相外延法制備膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710043553.5
• 申請日: 2007-07-06
• 公開（公告）號: CN101338451A
• 公開（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬尤寶
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興學(xué)院
• 主分類號: C30B19/00
• 分類號: C30B19/00
• 代理公司: 上海開祺知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 汪克臻;楊潤周

1.采用液相外延法制備膜的方法，首先，設(shè)置于生長爐中坩堝內(nèi)的熔體熔點(diǎn)溫度附近將固定在籽晶桿上的襯底垂直進(jìn)入熔體中，襯底上粘附一層熔體，將籽晶桿上提，使襯底與熔體脫離進(jìn)入空氣中；然后迅速旋轉(zhuǎn)籽晶桿，使襯底上沒有成膜的熔體在旋轉(zhuǎn)作用下脫離膜表面，在這個(gè)過程中襯底表面的熔體迅速固化形成膜；最后將爐體降溫至室溫，取下襯底獲得生長膜；其特征是，

在上述過程中，接近熔體的上方空氣的溫度控制在不低于熔體凝固點(diǎn)的溫度；使深入到熔體中的襯底脫離熔體后，襯底上吸附的熔體保持熔液狀態(tài)，在這種狀態(tài)下快速旋轉(zhuǎn)籽晶桿，速度為100～2000轉(zhuǎn)/分鐘，使襯底和被吸附的熔體快速旋轉(zhuǎn)，非緊鄰襯底面的熔體在高速旋轉(zhuǎn)作用力的作用下被甩離襯底，使這部分熔體脫離襯底表面，將籽晶桿上移至溫度低于熔體凝固點(diǎn)的低溫區(qū)，使襯底表面吸附的熔體在襯底的作用下固化結(jié)晶成膜，獲得所需要生長的膜。

2.如權(quán)利要求1所述的采用液相外延法制備膜的方法，其特征是，熔體上方空氣的溫度控制方法采用在生長爐爐腔內(nèi)壁對應(yīng)坩堝口處設(shè)輔助加熱體。

3.如權(quán)利要求1或2所述的采用液相外延法制備膜的方法，其特征是，所述的發(fā)熱體和輔助發(fā)熱體分別由獨(dú)立的溫度控制系統(tǒng)控制。

4.如權(quán)利要求2所述的采用液相外延生長法制備膜的方法，其特征是，通過輔助發(fā)熱體控制襯底底部吸附的熔體的溫度，從而控制其粘度，使熔體能夠在襯底旋轉(zhuǎn)作用力的作用下甩去過剩吸附的熔體，使襯底底部吸附的熔體表面平整，從而達(dá)到生長完整膜的目的。

5.如權(quán)利要求1或2所述的采用液相外延法制備膜的方法，其特征是，熔體和接近熔體上方的溫度控制范圍為800～1500℃。

6.如權(quán)利要求1所述的采用液相外延法制備膜的方法，其特征是，所述的襯底還可以設(shè)有過渡層，以調(diào)節(jié)生長薄膜與襯底之間的晶格失配度。