[發(fā)明專利]不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710043509.4
• 申請日: 2007-07-05
• 公開（公告）號: CN101082131A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬占吉;趙棟才;任妮;武生虎;肖更竭
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航天科技集團(tuán)公司第五研究院第五一○研究所
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C14/22;C23C14/06;C23C14/52;C23C16/34;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海藍(lán)迪專利事務(wù)所
• 代理人: 徐筱梅

1、一種不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于包括下列步驟：

a.將金屬工件固定在電弧離子鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的工件轉(zhuǎn)盤上并抽真空；

b.將氬氣通入真空室，并保持真空度的穩(wěn)定，然后開啟離子源將金屬工件表面活化；

c.關(guān)閉氬氣，將金屬工件和真空室之間加載負(fù)偏壓，開啟鈦電弧源使金屬工件表面沉積鈦過渡層；

d.將氮?dú)馔ㄈ胝婵帐遥⒈３终婵斩鹊姆€(wěn)定，使金屬工件表面沉積氮化鈦過渡層；

e.開啟石墨電弧源，設(shè)定石墨電弧源的初始放電頻率，并控制石墨電弧源每放電一定脈沖數(shù)適當(dāng)提高放電頻率使金屬工件表面沉積碳氮化鈦過渡層；

f.關(guān)閉氮?dú)狻⑩侂娀≡矗刂剖娀≡吹姆烹娒}沖數(shù)使金屬工件表面沉積類金剛石薄膜。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述a步驟真空室的真空度優(yōu)于5×10^-3Pa。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述真空室通入氬氣時，真空度應(yīng)穩(wěn)定在3.2×10^-2Pa～4.9×10^-2Pa，通入氮?dú)鈺r，真空度應(yīng)穩(wěn)定在1.0×10^-2Pa～1.3×10^-2Pa。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述金屬工件和真空室之間加載負(fù)偏壓為-800V～-1500V。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述石墨電弧源的初始放電頻率設(shè)定為16Hz。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述f步驟石墨電弧源的放電脈沖數(shù)控制在250000～300000個。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述離子源的工作電壓為2.0kV～3.0kV，工作時間為10min～30min。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述鈦電弧源的工作電流為55A～90A，工作時間為2min～5min。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述石墨電弧源每放電一定脈沖數(shù)適當(dāng)提高放電頻率是每放電1000～3000個脈沖，放電頻率提高8Hz，放電頻率升高到32Hz后完成碳氮化鈦過渡層的沉積。