[發明專利]不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法

無效

• 申請號: 200710043509.4
• 申請日: 2007-07-05
• 公開（公告）號: CN101082131A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 馬占吉;趙棟才;任妮;武生虎;肖更竭
• 申請（專利權）人: 中國航天科技集團公司第五研究院第五一○研究所
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C14/22;C23C14/06;C23C14/52;C23C16/34;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海藍迪專利事務所
• 代理人: 徐筱梅

1、一種不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于包括下列步驟：

a.將金屬工件固定在電弧離子鍍膜設備真空室內的工件轉盤上并抽真空；

b.將氬氣通入真空室，并保持真空度的穩定，然后開啟離子源將金屬工件表面活化；

c.關閉氬氣，將金屬工件和真空室之間加載負偏壓，開啟鈦電弧源使金屬工件表面沉積鈦過渡層；

d.將氮氣通入真空室，并保持真空度的穩定，使金屬工件表面沉積氮化鈦過渡層；

e.開啟石墨電弧源，設定石墨電弧源的初始放電頻率，并控制石墨電弧源每放電一定脈沖數適當提高放電頻率使金屬工件表面沉積碳氮化鈦過渡層；

f.關閉氮氣、鈦電弧源，控制石墨電弧源的放電脈沖數使金屬工件表面沉積類金剛石薄膜。

2、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述a步驟真空室的真空度優于5×10^-3Pa。

3、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述真空室通入氬氣時，真空度應穩定在3.2×10^-2Pa～4.9×10^-2Pa，通入氮氣時，真空度應穩定在1.0×10^-2Pa～1.3×10^-2Pa。

4、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述金屬工件和真空室之間加載負偏壓為-800V～-1500V。

5、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述石墨電弧源的初始放電頻率設定為16Hz。

6、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述f步驟石墨電弧源的放電脈沖數控制在250000～300000個。

7、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述離子源的工作電壓為2.0kV～3.0kV，工作時間為10min～30min。

8、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述鈦電弧源的工作電流為55A～90A，工作時間為2min～5min。

9、根據權利要求1所述不銹鋼金屬表面鍍制類金剛石薄膜的方法，其特征在于所述石墨電弧源每放電一定脈沖數適當提高放電頻率是每放電1000～3000個脈沖，放電頻率提高8Hz，放電頻率升高到32Hz后完成碳氮化鈦過渡層的沉積。