[發明專利]薄膜晶體管陣列基板的制造方法有效
| 申請號： | 200710043456.6 | 申請日： | 2007-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN101101892A | 公開（公告）日： | 2008-01-09 |
| 發明（設計）人： | 李俊峰;李喜峰 | 申請（專利權）人： | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/84 | 分類號： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人： | 白璧華 |
| 地址： | 200233上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：
在一透明基板上形成一柵極及與所述柵極電氣連接的一柵極掃描線；
使用半曝光掩模版通過光刻與兩次絕緣層薄膜生長形成具有不同厚度的柵極絕緣層；
形成半導體層；
形成溝道區、漏極/源極以及與源極電氣連接的數據線，并定義出像素區域；
在漏極上方形成鈍化絕緣層，并在鈍化絕緣層上刻蝕出接觸孔；
在透明基板表面形成像素電極。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的半曝光掩模版具有非曝光區、半曝光區和曝光區，溝道區對應的為非曝光區區，柵極與漏極或源極交疊區域、柵極掃描線與數據線交疊區域相對應的為半曝光區，像素區域相對應的為全曝光區。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于所述的柵極層上還形成有與柵極掃描線平行的公共電極線，所述數據線與公共電極線交疊區域相對應的為半曝光區。
4.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：
在一透明基板上方依序形成第一金屬層和一較厚的柵極絕緣膜，使用半曝光掩模板進行刻蝕減薄后形成一柵極及與所述柵極電氣連接的一柵極掃描線，并形成具有不同厚度的柵極絕緣層；
形成半導體層；
形成溝道區、漏極/源極以及與源極電氣連接的數據線，并定義出像素區域；
在漏極上方形成鈍化絕緣層，并在鈍化絕緣層上刻蝕出接觸孔；
在透明基板表面形成像素電極。
5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于所述的特征在于所述的半曝光掩模版具有非曝光區、半曝光區和曝光區，溝道區對應的為半曝光區域，柵極與漏極或源極交疊區域、柵極掃描線與數據線交疊區域相對應的為非曝光區，像素區域相對應的為全曝光區。
6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于所述的第一金屬層上還形成有與柵極掃描線平行的公共電極線，所述數據線與公共電極線交疊區域相對應的為非曝光區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
