[發明專利]一種輸入/輸出器件的制造方法有效
| 申請號： | 200710043322.4 | 申請日： | 2007-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN101335199A | 公開（公告）日： | 2008-12-31 |
| 發明（設計）人： | 丁宇;居建華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04;H01L21/18;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 輸入 輸出 器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種輸入/輸出器件的制造方法，其特征在于，依序包括下列步驟：
a.N輸入/輸出區離子注入；
b.偏置側壁沉積；
c.加熱；
d.偏置側壁刻蝕；
e.N核心區離子注入；
f.P核心區離子注入；
g.P輸入/輸出區離子注入；
h.側壁沉積和刻蝕。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述加熱步驟的溫度為650～850攝氏度。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述的離子注入為輕摻雜漏區離子注入。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
