[發(fā)明專利]氮化鈦層的制造方法及其裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710043276.8
• 申請日: 2007-06-29
• 公開（公告）號: CN101333641A
• 公開（公告）日: 2008-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐錦添
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/22
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1、一種制造氮化鈦層的裝置，包括物理氣相沉積反應(yīng)腔和物理氣相沉積反應(yīng)腔連接的氣體過濾器，其特征在于：該氣體過濾器還與一氮氣供應(yīng)裝置連接。

2、如權(quán)利要求1所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：所述的氮氣供應(yīng)裝置由兩個氣動閥、該兩個氣動閥之間的氣體流量控制器和一存儲氮氣的存儲器組成。

3、如權(quán)利要求1所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：該制造氮化鈦層的裝置還包括一惰性氣體供應(yīng)裝置。

4、如權(quán)利要求3所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：所述的惰性氣體供應(yīng)裝置由兩個氣動閥、該兩個氣動閥之間的氣體流量控制器和一存儲惰性氣體的存儲器組成。

5、如權(quán)利要求4所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：所述的惰性氣體為氬氣或氦氣。

6、如權(quán)利要求1所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：所述的物理氣相沉積反應(yīng)腔和氣體過濾器之間還包括一氣動閥，該氣動閥關(guān)閉時防止氣體進(jìn)入物理氣相沉積反應(yīng)腔。

7、如權(quán)利要求1或6所述的制造氮化鈦層的裝置，其特征在于：所述的物理氣相沉積反應(yīng)腔為解離金屬電漿物理氣相沉積反應(yīng)腔。

8、一種制造氮化鈦層的方法，其特征在于，包括下列步驟：

(1)在物理氣相沉積反應(yīng)腔中形成鈦金屬層；

(2)在所述鈦金屬層表面形成保護(hù)層；

(3)保護(hù)層在化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔中形成氮化鈦層。

9、如權(quán)利要求7所述的制造氮化鈦層的方法，其特征在于：所述的鈦金屬利用惰性氣體和氮氣通過物理氣相沉積法形成保護(hù)層。

10、如權(quán)利要求7所述的制造氮化鈦層的方法，其特征在于：所述的惰性氣體為氬氣或氦氣。

11、如權(quán)利要求7或8所述的制造氮化鈦層的方法，其特征在于：所述的保護(hù)層為厚度為5納米的氮化鈦層。