[發(fā)明專利]基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710042422.5 | 申請日: | 2007-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN101071928A | 公開(公告)日: | 2007-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周軍;蔡虹;董景星;張芳沛;樓祺洪;魏運榮 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所 |
| 主分類號: | H01S3/067 | 分類號: | H01S3/067;H01S3/08;H01S3/0941;H01S3/108;H01S3/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 張澤純 |
| 地址: | 201800上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 鉺鐿共摻雙 包層 光纖 紅外 功率 激光 光源 | ||
1、一種基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,特征在于其構(gòu)成包括高功率半導(dǎo)體激光器(1)和自該高功率半導(dǎo)體激光器(1)的輸出端依次設(shè)置的:傳能光纖(2)、第一光纖光柵(3)、第二光纖光柵(4)、鉺鐿共摻雙包層光纖(5)、準直透鏡(6)、聚焦透鏡(7)、非線性晶體(8)和準直輸出透鏡(9),所述的鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的輸出端(10)位于所述的準直透鏡(6)的前焦點,所述的聚焦透鏡(7)的后焦點和準直輸出透鏡(9)的前焦點共焦,該焦點位于所述的非線性晶體(8)之中,所述的高功率半導(dǎo)體激光器(1)發(fā)出的泵浦光通過傳能光纖(2)耦合到鉺鐿共摻雙包層光纖(5),在所述的傳能光纖(2)和鉺鐿共摻雙包層光纖(5)之間,熔接有分別對中心波長λ1和中心波長λ2高反的所述的第一光纖光柵(3)和所述的第二光纖光柵(4),分別作鉺鐿共摻雙包層光纖激光器的λ1和λ2激光波長的諧振腔鏡,鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的輸出端(10)垂直軸線切割,作為諧振腔的輸出鏡。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的纖芯為圓形,直徑為20μm,纖芯數(shù)值孔徑為0.07;所述的鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的內(nèi)包層為六角形或八角形,直徑為200μm或400μm,內(nèi)包層數(shù)值孔徑為0.46。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的第一光纖光柵(3)是中心波長λ1=1.06μm、具有高反射率的雙包層光纖光柵,其光纖光柵僅僅刻寫在圓形纖芯區(qū)域,反射率大于90%;其纖芯和內(nèi)包層的直徑和數(shù)值孔徑與所述的鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的相應(yīng)參數(shù)相同。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的第二光纖光柵(4)是中心波長λ2=1.56μm、具有高反射率的雙包層光纖光柵,其光纖光柵僅僅刻寫在圓形纖芯區(qū)域,反射率大于90%;其纖芯和內(nèi)包層的直徑和數(shù)值孔徑與所述的鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的相應(yīng)參數(shù)相同。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的高功率半導(dǎo)體激光器(1)的中心波長同鉺鐿共摻雙包層光纖(5)的吸收波長相匹配,為975nm或915nm,所述的高功率半導(dǎo)體激光器(1)是多個半導(dǎo)體激光器陣列的組合或多個單管半導(dǎo)體激光器的組合
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的準直透鏡(6)是由一球面透鏡組構(gòu)成的對波長λ1和λ2消色差的準直透鏡,其各個面均鍍兩個波長的增透膜,實現(xiàn)兩個波長激光的高效率準直輸出。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的聚焦透鏡(7)是由一球面透鏡組構(gòu)成的對波長λ1和λ2消色差的聚焦透鏡,或是由非球面透鏡構(gòu)成的消色差透鏡,并對其各個面均鍍兩個波長的增透膜。
8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的的基于鉺鐿共摻雙包層光纖的中紅外高功率激光光源,其特征在于所述的非線性晶體(8)是LiNbO3晶體、MgO:LiNbO3晶體或其它非線性晶體。
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