[發明專利]過蝕刻的處理方法

有效

• 申請號: 200710042415.5
• 申請日: 2007-06-22
• 公開（公告）號: CN101329990A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 陸騫;常延武
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/311
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種過蝕刻的處理方法，其特征在于，該處理方法包括如下步驟：

a.提供蝕刻機臺，其包括硫酸存儲槽、氫氟酸存儲槽、反應槽、數條連通所述存儲槽和反應槽的管道以及警報器；

b.將硫酸存儲槽、氫氟酸存儲槽中的濃硫酸和氫氟酸通過管道輸入反應槽內混合形成處理液；

c.將待處理晶片放入反應槽的處理液內，進行濕法蝕刻；

d.警報器發出警報后，向反應槽內加入濃硫酸，將氫氟酸濃度稀釋至安全濃度。

2.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：所述濃硫酸的濃度為95％-98％。

3.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：氫氟酸存儲槽中氫氟酸濃度為49％。

4.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：步驟b中濃硫酸和氫氟酸以17∶1的比例混合形成處理液。

5.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：其中一條連通硫酸存儲槽和反應槽的管道由開關控制，警報器發出警報后進行上述步驟d。