[發(fā)明專利]摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710042361.2 | 申請日: | 2007-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN101074164A | 公開(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫琳;馮楚德;陳立東 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | C04B35/495 | 分類號: | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 20005*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 層狀 壓電 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1、摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷,其特征在于:
化學(xué)式為Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9,其中:Re=Nd或Sm,0<x≤0.4,0≤y≤0.5。
2、一種按權(quán)利要求1所述的摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷材料的制備方法,包括配料、混合、第一次成型、預(yù)合成、粉碎、細(xì)磨、造粒、第二次成型、排塑、燒結(jié),其特征在于:
(1)按化學(xué)式Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9進(jìn)行配料,其中Re為Nd或Sm,0<x≤0.4,0<y≤0.5;
(2)預(yù)合成條件為800~900℃保溫2小時,自然冷卻;
(3)排塑條件為700~850℃保溫2小時,自然冷卻;
(4)燒結(jié)條件為1100~1200℃保溫2小時,自然冷卻。
3、按權(quán)利要求2所述的摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷材料的制備方法,其特征在于第一次成型壓力為60~80MPa。
4、按權(quán)利要求2或3所述的摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷的制備方法,其特征在于第二次成型壓力為150~250MPa。
5、按權(quán)利要求2或3或4所述的摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷材料的制備方法,其特征在于所述燒結(jié)的環(huán)境為坩堝密閉或粉料埋燒方式。
6、摻釹和釤的鉍層狀壓電陶瓷,化學(xué)式為Sr1-yBi2-x+yRexNb2O9,其中,Re=Nd或Sm,0<x≤0.4,0≤y≤0.5,用于濾波器和振蕩器。
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