[發(fā)明專利]MOS管電阻的建模方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710042347.2 | 申請日： | 2007-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN101329693A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邵芳;黃威森 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 電阻 建模 方法 | ||
1.一種MOS管電阻的建模方法，其特征在于，包括下列步驟，
挑選不同溝道寬度的MOS管作為待建模MOS管；
針對每一個MOS管，至少使用一種多晶硅根數(shù)和單根多晶硅溝道寬度的組合方式來進(jìn)行布圖，形成布圖結(jié)構(gòu)；
測量根據(jù)所述布圖結(jié)構(gòu)生產(chǎn)的各個MOS管的I-V特性；
根據(jù)測得的I-V特性得到相應(yīng)電阻；
擬和所得電阻，得到該電阻隨多晶硅根數(shù)和單根多晶硅溝道寬度變化的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS管電阻的建模方法，其特征在于，所述MOS管的溝道寬度為1微米至500微米。
3.如權(quán)利要求1所述的MOS管電阻的建模方法，其特征在于，所述I-V特性通過測量MOS管源極或漏極的電流和電壓來得到，所述電阻為MOS管源極或漏極上的電阻。
4.如權(quán)利要求3所述的MOS管電阻的建模方法，其特征在于，所述電阻包括接觸電阻和寄生電阻。
5.如權(quán)利要求4所述的MOS管電阻的建模方法，其特征在于，擬和電阻的步驟進(jìn)一步包括，
根據(jù)所得源極或漏極上的電阻，得到單位溝道寬度的源極或漏極上的電阻；
以多晶硅根數(shù)為橫坐標(biāo)，單位溝道寬度的源極或漏極上的電阻為縱坐標(biāo)，得到不同單位溝道寬度下的源極或漏極上的電阻隨多晶硅根數(shù)變化關(guān)系圖或者以單根多晶硅溝道寬度為橫坐標(biāo)，單位溝道寬度的源極或漏極上的電阻為縱坐標(biāo)，得到多晶硅根數(shù)不同時相應(yīng)的源極或漏極上的電阻隨單根多晶硅溝道寬度變化關(guān)系圖；
擬和兩個變化關(guān)系圖中的一個，得到源極或漏極上的電阻隨多晶硅根數(shù)和單根多晶硅溝道寬度變化的關(guān)系式。
6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的MOS管電阻的建模方法，其特征在于，所述電阻隨多晶硅根數(shù)和單根多晶硅溝道寬度變化的關(guān)系為
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