[發明專利]刻蝕方法

有效

• 申請號: 200710042343.4
• 申請日: 2007-06-21
• 公開（公告）號: CN101329986A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發明（設計）人: 黃怡;杜珊珊;朱峰;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1.一種刻蝕方法，其特征在于，將待刻蝕襯底中相鄰的兩個襯底分別稱為前一襯底和后一襯底，其中，在先刻蝕的襯底稱為前一襯底，在后刻蝕的襯底稱為后一襯底，每一個襯底既可以相對于在其后刻蝕的襯底而言為前一襯底，又可以相對于在其前刻蝕的襯底而言為后一襯底，所述方法包括步驟：

刻蝕前一襯底；

檢測后一襯底的刻蝕掩膜圖形；

檢測所述前一襯底的刻蝕圖形；

根據所述后一襯底的刻蝕掩膜圖形的檢測結果確定所述后一襯底的刻蝕條件；

根據所述前一襯底的刻蝕圖形檢測結果對所述后一襯底的刻蝕條件進行調整；

按照所述后一襯底的刻蝕條件對所述后一襯底進行刻蝕。

2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕掩膜圖形的檢測結果包括刻蝕掩膜圖形的特征尺寸。

3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕圖形的檢測結果包括刻蝕圖形的特征尺寸和/或刻蝕深度。

4.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述檢測利用光學特征尺寸測量設備實現。

5.如權利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于：所述光學特征尺寸測量設備與刻蝕設備間利用機械手依次傳送各襯底。

6.如權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：檢測所述前一襯底的刻蝕圖形后，對所述前一襯底進行清洗。

7.一種刻蝕方法，其特征在于，將待刻蝕襯底中相鄰的兩個襯底分別稱為前一襯底和后一襯底，其中，在先刻蝕的襯底稱為前一襯底，在后刻蝕的襯底稱為后一襯底，每一個襯底既可以相對于在其后刻蝕的襯底而言為前一襯底，又可以相對于在其前刻蝕的襯底而言為后一襯?底，所述方法包括步驟：

將各襯底放置于片盒內；

將前一襯底傳送至刻蝕設備，對前一襯底進行刻蝕；

將后一襯底傳送至檢測設備，檢測后一襯底的刻蝕掩膜圖形；

將所述前一襯底傳送至檢測設備，檢測所述前一襯底的刻蝕圖形；

根據所述后一襯底的刻蝕掩膜圖形的檢測結果確定所述后一襯底的刻蝕條件；

根據所述前一襯底的刻蝕圖形檢測結果對所述后一襯底的刻蝕條件進行調整；

將所述后一襯底傳送至刻蝕設備；

按照所述后一襯底的刻蝕條件對所述后一襯底進行刻蝕；

將所述前一襯底傳送回片盒。

8.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：所述傳送由與所述片盒、檢測設備和刻蝕設備相連的機械手完成。

9.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：檢測后一襯底的刻蝕掩膜圖形后，還要將所述后一襯底傳送回片盒。

10.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕掩膜圖形的檢測結果包括刻蝕掩膜圖形的特征尺寸。

11.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：所述刻蝕圖形的檢測結果包括刻蝕圖形的特征尺寸和/或刻蝕深度。

12.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：所述檢測利用光學特征尺寸測量設備實現。

13.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：在所述片盒內的襯底全部傳送回片盒后，再對各襯底進行清洗處理。?