[發明專利]包含多個處理平臺的去耦合反應離子刻蝕室

在審

• 申請號: 200710042285.5
• 申請日: 2007-06-20
• 公開（公告）號: CN101076219A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 尹志堯;倪圖強;陳金元;錢學煜
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/00;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種包含至少兩個處理區域能夠單獨地或同時地處理至少兩片基片的等離子體處理室，包括：

處理室體，包含至少兩個等離子體處理區域，每個處理區域在較低位置處設有一個陰極且在處理區域的上部設有一個陽極，所述室體包含排氣通道；

至少一個真空泵，與所述排氣通道相連接；

至少兩個等離子體約束裝置，每個等離子體約束裝置位于一個相應的陰極周邊，用于防止在所述等離子體處理區域內產生的等離子體延伸至所述排氣通道，所述每一個等離子體約束裝置上設置有若干微通道，以對稱地分布每一個處理區域周邊的壓力；

至少兩個射頻匹配電路，每一個射頻匹配電路同時地將至少一第一射頻頻率和一第二射頻頻率耦合到其中的一個陰極上；

其中，第一射頻頻率高于第二射頻頻率，并且第一射頻頻率與第二射頻頻率之比為大于2。

2.如權利要求1所述的等離子體處理室，其中每一個等離子體約束裝置包含等離子體屏蔽和射頻屏蔽。

3.如權利要求2所述的等離子體處理室，所述等離子體屏蔽包含導電的但電氣浮地的部件，所述射頻屏蔽包含接地的導電部件。

4.如權利要求1所述的等離子體處理室，還包含至少兩個可移動的絕緣隔離環，每個隔離環位于一個處理區域內，當隔離環位于其較低位置時每個隔離環為每個處理區域限定了外圍邊界。

5.如權利要求4所述的等離子體處理室，其中所述處理室體為每個處理區域設置有接地的室壁，每個隔離環的厚度被設計成能夠防止射頻返回路徑從等離子體經過接地的室壁。

6.如權利要求5所述的等離子體處理室，其中每個隔離環還包括至少一個壓力均衡通路。

7.如權利要求6所述的等離子體處理室，還進一步包括一個隔離壁將兩個處理區域分隔開，所述隔離壁包含一個壓力均衡通道，當隔離環位于其較低位置時所述壓力均衡通道與所述壓力均衡通路相連通。

8.如權利要求1所述的等離子體處理室，還包括若干個射頻傳導體，每一個射頻傳導體將射頻能量從所述射頻匹配電路中的一個耦合到相應的陰極，每個射頻傳導體包括若干個均勻分布的叉與陰極相連接，以便以一種均衡的方式將射頻能量耦合到相應的陰極上。

9.如權利要求8所述的等離子體處理室，其中每一個射頻匹配電路包含一個高頻輸入端、一個低頻輸入端、一個組合輸出端，在高頻輸入端和組合輸出端之間耦合有高頻匹配電路，在低頻輸入端和組合輸出端之間耦合有低頻匹配電路，其中，所述高頻匹配電路對于第二射頻頻率具有高阻抗，所述低頻匹配電路對于第一射頻頻率具有高阻抗。

10.如權利要求9所述的等離子體處理室，其中所述第一射頻頻率從約27MHZ、約60MHZ或約100MHZ中選取。

11.如權利要求9所述的等離子體處理室，其中第二射頻頻率從約500KHz至2.2MHZ范圍內選取。

12.如權利要求1中的等離子體處理室，其中每一個射頻匹配電路還將一第三射頻頻率耦合至一相應的陰極。

13.如權利要求12的等離子體處理室，還包括若干個切換開關，每一個切換開關用于在第一、第二及第三射頻頻率中進行選擇切換。