[發(fā)明專利]用于在存儲器結構中形成自對準共源極的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710042205.6 | 申請日： | 2007-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN101330056A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳佳特;李紹彬;高建玉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 陳煒 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 存儲器 結構 形成 對準 共源極 方法 裝置 | ||
1.一種用于在存儲器結構中形成自對準共源極的方法，包括以下步驟：
在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；
在所述源極區(qū)域進行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域；
對所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及
通過離子束對所述共源區(qū)域進行離子注入以形成所述自對準共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角，
其中所述進行離子注入的步驟包括以下步驟：
以第一入射方向和/或以第二入射方向進行離子注入，
其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分別位于所述基底表面的法線的兩側，并分別與所述法線相隔第一傾斜角和第二傾斜角，并且
其中所述第一傾斜角與所述第二傾斜角不同。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：
在所述進行離子注入的步驟后去除所述光阻層；以及
對所述基底進行退火。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述傾斜角為10-30度。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子束為砷離子束。
5.一種用于在存儲器結構中形成自對準共源極的設備，包括：
字線形成裝置，用于在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；
光刻裝置，用于在所述源極區(qū)域進行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域和部分字線；
蝕刻裝置，用于對所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及
離子注入裝置，用于通過離子束對所述共源區(qū)域進行離子注入以形成所述自對準共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角，其中所述離子注入裝置以第一入射方向和/或以第二入射方向進行離子注入，
其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分別位于所述基底表面的法線的兩側，并分別與所述法線相隔第一傾斜角和第二傾斜角，并且
其中所述第一傾斜角與所述第二傾斜角不同。
6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括：
退火裝置，用于對去除所述光阻層的所述基底進行退火。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
