[發明專利]柵極結構及其制造方法無效
| 申請號： | 200710042148.1 | 申請日： | 2007-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN101330006A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 張海洋;劉乒;張世謀;馬擎天 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種柵極結構制造方法，包括：
在半導體基底上形成第一介質層；
沉積柵層，此柵層覆蓋所述第一介質層；
沉積第二介質層，此第二介質層覆蓋所述柵層；
刻蝕所述第二介質層及柵層；
沉積第三介質層，此第三介質層覆蓋所述第二介質層及柵層；
刻蝕所述第三介質層。
2.根據權利要求1所述的柵極結構制造方法，其特征在于：所述第一介質層材料包含二氧化硅或摻雜鉿的二氧化硅。
3.根據權利要求1或2所述的柵極結構制造方法，其特征在于：所述柵層材料包含多晶硅。
4.根據權利要求1所述的柵極結構制造方法，其特征在于：所述第二介質層材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合。
5.根據權利要求1所述的柵極結構制造方法，其特征在于：所述第三介質層包含二氧化硅或二氧化硅與氮氧化硅及/或氮化硅，或二氧化硅、氮氧化硅及/或氮化硅與二氧化硅以及二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮氧化硅與二氧化硅構成的層疊結構中的一種。
6.根據權利要求4或5所述的柵極結構制造方法，其特征在于：所述第二介質層的厚度小于或等于所述第三介質層層疊結構中二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合層的厚度。
7.一種柵極結構，包含位于半導體基底上的第一介質層、位于所述第一介質層上的柵極和位于所述柵極上的第二介質層以及環繞所述柵極和第二介質層的第三介質層，所述第三介質層至少部分覆蓋所述第二介質層的側壁。
8.根據權利要求7所述的柵極結構，其特征在于：所述第二介質層材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合。
9.根據權利要求7所述的柵極結構，其特征在于：所述第三介質層包含二氧化硅或二氧化硅與氮氧化硅及/或氮化硅，或二氧化硅、氮氧化硅及/或氮化硅與二氧化硅以及二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氮氧化硅與二氧化硅構成的層疊結構中的一種。
10.根據權利要求8或9所述的柵極結構，其特征在于：所述第二介質層的厚度小于或等于所述第三介質層層疊結構中二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合層的厚度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
