[發明專利]光刻膠的去除方法和制造鑲嵌結構的方法無效
| 申請號： | 200710042132.0 | 申請日： | 2007-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN101329519A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 鄒曉東 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/36 | 分類號： | G03F7/36;G03F7/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 去除 方法 制造 鑲嵌 結構 | ||
1、一種光刻膠的去除方法，其特征在于，包括：
提供具有光刻膠層的半導體結構；
將所述半導體結構置于氧氣等離子環境中，通過氧氣等離子體灰化去除所述光刻膠層，其中，產生所述氧氣等離子體的激勵源功率小于等于400W。
2、如權利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的激勵源功率為300W。
3、如權利要求1或2所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：所述激勵源為射頻源或微波源。
4、如權利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的氣體為O2或O3或NO或N2O。
5、如權利要求4所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的氣體中還包括N2或O2或CF4或NF3。
6、如權利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的氣體為O2，所述O2的流量為400至1000sccm。
7、如權利要求1所述的光刻膠的去除方法，其特征在于：所述氧氣等離子環境的壓力為10至20Torr。
8、一種應用權利要求1所述的方法制造鑲嵌結構的方法，其特征在于，包括：
提供具有介質層的半導體襯底；
在所述介質層上形成光刻膠層，圖形化所述光刻膠層，形成開口圖案；
刻蝕所述開口圖案底部的介質層，在所述介質層中形成開口；
將形成有所述開口的半導體襯底置于氧氣等離子環境中，通過氧氣等離子體灰化去除所述光刻膠層，其中，產生所述氧氣等離子體的激勵源功率小于等于400W。
9、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的激勵源功率為300W。
10、如權利要求8或9所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：所述激勵源為射頻源或微波源。
11、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的氣體為O2或O3或NO或N2O。
12、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：產生所述氧氣等離子體的氣體為O2，所述O2的流量為400至1000sccm。
13、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：所述氧氣等離子環境的壓力為10至20Torr。
14、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：通過氧氣等離子體灰化去除光刻膠層的工藝和刻蝕所述開口圖案底部的介質層的工藝可以原位進行或在不同的工藝腔中分別進行。
15、如權利要求8所述的制造鑲嵌結構的方法，其特征在于：該方法進一步包括：去除所述光刻膠層后在所述開口中填充金屬材料。
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