[發(fā)明專利]外延圖形漂移量的測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710041946.2 | 申請日： | 2007-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN101325168A | 公開（公告）日： | 2008-12-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張洪偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 圖形 漂移 測量方法 | ||
1.一種外延圖形漂移量的測量方法，其特征是：該方法包括如下步驟：
第1步，對硅片進行外延前的工藝，形成隱埋層窗口；
第2步，進行外延工藝；
第3步，涂光刻膠，烘膠，使用第1步中形成隱埋層窗口的掩膜版對硅片進行對準、曝光；
第4步，將硅片沿X軸切片，染色；
第5步，測量外延層厚度、圖形左漂移量、圖形右漂移量，按照公式
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延圖形漂移量的測量方法，其特征是：其中第1步對硅片進行外延前的工藝，形成隱埋層窗口包括如下步驟：
第1.1步，在硅片上生長若干厚度的氧化層；
第1.2步，涂光刻膠，光刻，使用干刻形成光刻對準記號；
第1.3步，去除光刻膠，去除氧化層；
第1.4步，涂光刻膠，光刻，形成隱埋層窗口；
第1.5步，在隱埋層窗口進行離子注入；
第1.6步，去膠，爐管進行擴散推進若干時間，退火，生長若干厚度的氧化層；
第1.7步，氧化層去除，清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延圖形漂移量的測量方法，其特征是：其中第1.1步生長的氧化層的厚度為200
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延圖形漂移量的測量方法，其特征是：其中第1.5步注入的離子是銻，劑量是2E15atoms/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延圖形漂移量的測量方法，其特征是：其中第1.6步爐管進行擴散推進的時間為30分鐘，生長的氧化層的厚度為500
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
