[發(fā)明專(zhuān)利]一種閃速存儲(chǔ)器及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710041766.4
• 申請(qǐng)日: 2007-06-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101320735A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申星勛;宋建鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1、一種閃速存儲(chǔ)器，其制作在已制成場(chǎng)隔離結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電阱的硅襯底上，該閃速存儲(chǔ)器包括源極、漏極、依次層疊在硅襯底上的浮柵和控制柵，其中，該浮柵與該硅襯底間具有一隧道氧化層，該浮柵與該控制柵間具有一層間絕緣層，其特征在于，該硅襯底上制作有一凹槽，該浮柵設(shè)置在該凹槽內(nèi)。

2、如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器，其特征在于，該層間絕緣層從下至上依次包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

3、如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器，其特征在于，該凹槽為V型槽。

4、如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器，其特征在于，該凹槽為U型槽。

5、如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器，其特征在于，該隧道氧化層的厚度范圍為90至100埃。

6、如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器，其特征在于，該浮柵和該控制柵均為多晶硅。

7、一種如權(quán)利要求1所述的閃速存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：(1)對(duì)應(yīng)浮柵在該硅襯底上制作凹槽；(2)在該凹槽表面制作隧道氧化層；(3)在該隧道氧化層上制作浮柵；(4)進(jìn)行離子注入以形成源極和漏極；(5)在該浮柵上制作層間絕緣層；(6)在該層間絕緣層上制作控制柵。

8、如權(quán)利要求7所述的閃速存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，該步驟(1)包括以下步驟：(10)涂敷一光阻層；(11)光刻出凹槽圖形；(12)通過(guò)干法刻蝕制成凹槽。

9、如權(quán)利要求7所述的閃速存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于，在步驟(2)中，通過(guò)干法氧化制作隧道氧化層，且氧化溫度為950攝氏度。