[發明專利]AlGaN/PZT紫外/紅外雙波段探測器有效
| 申請號: | 200710041610.6 | 申請日: | 2007-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN101075647A | 公開(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發明(設計)人: | 張燕;李向陽;孫璟蘭;孟祥建 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號: | H01L31/09 | 分類號: | H01L31/09 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | algan pzt 紫外 紅外 波段 探測器 | ||
1.一種AlGaN/PZT紫外/紅外雙波段探測器,包括藍寶石襯底,其特征在于:
在藍寶石襯底的一面置有AlGaN?PIN結構的紫外探測器件;在藍寶石襯底的另一面置有通過溶膠-凝膠法生長的PZT鐵電復合薄膜結構的紅外探測器件;
所說的AlGaN?PIN結構的紫外探測器件包括:在藍寶石襯底的一面通過分子束外延依次排列生長的GaN緩沖層(2)、n型AlGaN層(3)、I型AlGaN層(4)和p型AlGaN層(5),在n型AlGaN層(3)上置有下電極(10),在p型AlGaN層(5)上置有上電極(11);
所說的PZT鐵電復合薄膜結構的紅外探測器件包括:在藍寶石襯底的另一面通過溶膠-凝膠法依次排列生長的多孔SiO2隔熱層(6)、LaNiO3電極層(7)、PZT薄膜(8),在PZT薄膜(8)上置有通過蒸發的Pt電極層(9),在LaNiO3電極層(7)上置有銦柱(12),在Pt電極層(9)上置有銦柱(13),置在LaNiO3電極層(7)上的銦柱(12)和置在Pt電極層(9)上的銦柱(13)與同樣長有銦柱的基板(14)互連。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





