[發(fā)明專(zhuān)利]AlGaN/PZT紫外/紅外雙波段探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710041610.6 | 申請(qǐng)日: | 2007-06-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101075647A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張燕;李向陽(yáng);孫璟蘭;孟祥建 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/09 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/09 |
| 代理公司: | 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 20008*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | algan pzt 紫外 紅外 波段 探測(cè)器 | ||
1.一種AlGaN/PZT紫外/紅外雙波段探測(cè)器,包括藍(lán)寶石襯底,其特征在于:
在藍(lán)寶石襯底的一面置有AlGaN?PIN結(jié)構(gòu)的紫外探測(cè)器件;在藍(lán)寶石襯底的另一面置有通過(guò)溶膠-凝膠法生長(zhǎng)的PZT鐵電復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的紅外探測(cè)器件;
所說(shuō)的AlGaN?PIN結(jié)構(gòu)的紫外探測(cè)器件包括:在藍(lán)寶石襯底的一面通過(guò)分子束外延依次排列生長(zhǎng)的GaN緩沖層(2)、n型AlGaN層(3)、I型AlGaN層(4)和p型AlGaN層(5),在n型AlGaN層(3)上置有下電極(10),在p型AlGaN層(5)上置有上電極(11);
所說(shuō)的PZT鐵電復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)的紅外探測(cè)器件包括:在藍(lán)寶石襯底的另一面通過(guò)溶膠-凝膠法依次排列生長(zhǎng)的多孔SiO2隔熱層(6)、LaNiO3電極層(7)、PZT薄膜(8),在PZT薄膜(8)上置有通過(guò)蒸發(fā)的Pt電極層(9),在LaNiO3電極層(7)上置有銦柱(12),在Pt電極層(9)上置有銦柱(13),置在LaNiO3電極層(7)上的銦柱(12)和置在Pt電極層(9)上的銦柱(13)與同樣長(zhǎng)有銦柱的基板(14)互連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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