[發明專利]一種測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法無效
| 申請號: | 200710041036.4 | 申請日: | 2007-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN101311304A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 崔廣學;宋大偉;趙星;李修遠 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;G01K13/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 測量 沉積 設備 反應 溫度 方法 | ||
1、一種測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:(1)在氣相沉積設備反應腔內外分別設置一內部溫度偵測單元及外部溫度偵測單元;(2)改變氣相沉積設備的溫度且使其涵蓋該氣相沉積設備的容許溫度范圍,再讀取內部溫度偵測單元和外部偵測單元測得的溫度值,并計算出兩者的溫度偏差值;(3)拆卸該內部溫度偵測單元;(4)使用該氣相沉積設備進行氣相沉積,并讀取該外部溫度偵測單元測得的溫度值;(5)依據溫度偏差值以及外部溫度偵測單元測得的溫度值計算出氣相沉積設備反應腔的溫度。
2、如權利要求1所述的測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法還包括步驟(6),輸出該氣相沉積設備反應腔的溫度。
3、如權利要求1所述的測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該氣相沉積設備為化學氣相沉積設備。
4、如權利要求1所述的測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該容許溫度范圍為100至700攝氏度。
5、如權利要求1所述的測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該外部溫度偵測單元和內部溫度偵測單元均具有多個測溫點。
6、如權利要求5所述的測量氣相沉積設備反應腔溫度的方法,其特征在于,該外部溫度偵測單元和內部溫度偵測單元的測溫點數目相同且設置位置相對應。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





