[發明專利]雙鑲嵌結構的形成方法

有效

• 申請號: 200710040986.5
• 申請日: 2007-05-21
• 公開（公告）號: CN101312150A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 寧先捷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1、一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供一表面具有介質層的半導體襯底；

在所述介質層表面形成第一犧牲層；

在所述第一犧牲層表面形成第一硬掩膜層；

在所述第一硬掩膜層表面形成第一光刻膠圖形；

以所述第一光刻膠圖形為掩膜刻蝕部分所述第一硬掩膜層；

移除所述第一光刻膠圖形；

在所述第一硬掩膜層表面形成第二犧牲層；

在所述第二犧牲層表面形成第二硬掩膜層；

在所述第二硬掩膜層表面形成第二光刻膠圖形；

刻蝕所述第二硬掩膜層、第二犧牲層、第一硬掩膜層、第一犧牲層以及介質層。

2、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層為低溫氧化物。

3、如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層的厚度為500～4000

4、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述介質層為氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。

5、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一和第二犧牲層為富硅聚合物。

6、如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法還包括在所述第一和第二硬掩膜層表面形成底部抗反射層的步驟。

7、一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供一表面具有介質層的半導體襯底；

在所述介質層表面形成第一犧牲層；

在所述第一犧牲層表面形成第一硬掩膜層；

在所述第一硬掩膜層表面形成第一光刻膠圖形；

以所述第一光刻膠圖形為掩膜刻蝕所述第一硬掩膜層直至露出所述第一犧牲層或所述介質層；

移除所述第一光刻膠圖形；

在所述第一硬掩膜層表面形成第二犧牲層；

在所述第二犧牲層表面形成第二硬掩膜層；

在所述第二硬掩膜層表面形成第二光刻膠圖形；

刻蝕所述第二硬掩膜層、第二犧牲層、第一硬掩膜層、第一犧牲層以及介質層。

8、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層為低溫氧化物。

9、如權利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層的厚度為500～4000

10、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述介質層為氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。

11、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述第一和第二犧牲層為富硅聚合物。

12、如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述方法還包括在所述第一和第二硬掩膜層表面形成底部抗反射層的步驟。

13、一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供一表面具有介質層的半導體襯底；

在所述介質層表面形成第一犧牲層；

在所述第一犧牲層表面形成第一硬掩膜層；

在所述第一硬掩膜層表面形成第一光刻膠圖形；

以所述第一光刻膠圖形為掩膜刻蝕所述第一硬掩膜層；

移除所述第一光刻膠圖形；

在所述第一硬掩膜層表面形成第二犧牲層；

在所述第二犧牲層表面形成第二硬掩膜層；

在所述第二硬掩膜層表面形成第二光刻膠圖形；

以所述第二光刻膠圖形為掩膜刻蝕所述第二硬掩膜層；

移除所述第二光刻膠圖形；

刻蝕所述第二硬掩膜層、第二犧牲層、第一硬掩膜層、第一犧牲層以及介質層。

14、如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層為低溫氧化物。

15、如權利要求14所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜層的厚度為500～4000

16、如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述介質層為氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。

17、如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述第一和第二犧牲層為富硅聚合物。

18、如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述方法還包括在所述第一和第二硬掩膜層表面形成底部抗反射層的步驟。