[發(fā)明專利]釹和釩復(fù)合摻雜鈦酸鉍粉體及制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710040826.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101077837A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 闞艷梅;唐慶圓;王佩玲;張國(guó)軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號(hào): | C04B35/475 | 分類號(hào): | C04B35/475;C04B35/626;C01G29/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
| 地址: | 200050上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 摻雜 鈦酸鉍粉體 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種Nd和V復(fù)合摻雜鈦酸鉍粉體及制備方法,屬于功能陶瓷粉體制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)是含鉍層狀化合物大家族中結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單、研究得最多的鐵電體。它具有低的介電常數(shù),高的居里點(diǎn)和大的自發(fā)極化,在電容器,高溫壓電傳感器和光電器件等方面得到廣泛應(yīng)用。另外,從環(huán)境保護(hù)的角度來(lái)看,鈦酸鉍無(wú)鉛的優(yōu)點(diǎn)有可能使它成為目前被廣泛應(yīng)用的鋯鈦酸鉛基壓電陶瓷的替代物。
近來(lái),鈦酸鉍基材料在永久性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Non-volatile?Ramdom?AccessMemories)領(lǐng)域的潛在應(yīng)用價(jià)值,引起了人們對(duì)其廣泛的關(guān)注,其中1999年Nature上報(bào)道了鑭取代部分鉍的鈦酸鉍鑭薄膜材料具有很大的發(fā)展?jié)摿Α5氢佀徙G由于其自身晶體結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),存在四大方面的缺點(diǎn):
1、矯頑電場(chǎng)高,不利于極化;
2、高的漏導(dǎo)和疇偏轉(zhuǎn);
3、有限的自發(fā)極化取向能力,剩余極化低,壓電活性低;
4、主極化方向在a-b面,但是漏導(dǎo)也同時(shí)在a-b面。
這極大限制了該材料的實(shí)際應(yīng)用,因此對(duì)鈦酸鉍材料的改性研究顯得極其重要。研究發(fā)現(xiàn)釹(Nd)摻雜的BIT(鈦酸鉍)薄膜剩余極化(Pr)得到了很大的提高,電導(dǎo)和介電損耗比未摻雜的BIT薄膜要小得多。雖然Nd的添加可以改善材料的鐵電性能,但是卻引起材料居里溫度的強(qiáng)烈降低,不利于材料在高溫下的應(yīng)用。釩作為高價(jià)離子,摻雜進(jìn)入晶格不僅能降低燒結(jié)溫度和電導(dǎo),提高剩余極化強(qiáng)度,而且對(duì)材料居里溫度的影響很小。
目前,鈦酸鉍陶瓷的制備大多以固相反應(yīng)法合成的粉體作為原料。由于這種粉體的粒徑較大,團(tuán)聚嚴(yán)重,燒結(jié)活性低,材料的燒結(jié)溫度通常高于1000℃。已有的研究結(jié)果表明,當(dāng)鈦酸鉍的燒結(jié)溫度達(dá)到1050℃時(shí),就會(huì)引起B(yǎng)i元素的嚴(yán)重?fù)]發(fā),導(dǎo)致材料中缺陷的大量產(chǎn)生,進(jìn)而影響材料的性能。近年來(lái),已有不少利用濕化學(xué)法(如溶膠-凝膠法、水熱法和共沉淀法)合成鈦酸鉍超細(xì)粉的的研究報(bào)道。為適應(yīng)現(xiàn)代電子工業(yè)發(fā)展要求,克服現(xiàn)有鈦酸鉍超細(xì)粉體的不足,需尋找具有新的組成的鈦酸鉍粉體。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種粒徑小、燒結(jié)活性高、電性能好的釹和釩復(fù)合摻雜的鈦酸鉍(BNTV)粉體及其制備方法。
本發(fā)明的基本構(gòu)思是釹離子與鉍離子所帶電荷相同,故釹離子易取代鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鈦酸鉍中的鉍離子(A位)進(jìn)入晶格。釹的添加可以改善材料電學(xué)性能,但摻雜量高時(shí)會(huì)導(dǎo)致材料居里溫度的強(qiáng)烈降低。高價(jià)釩施主摻雜取代鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的鈦離子(B位)對(duì)居里溫度影響小,同時(shí)有利于降低燒結(jié)溫度和介電損耗,改善極化性能。故適量的釹和釩復(fù)合摻雜可以保證在居里溫度較高的情況下得到電學(xué)性能良好的材料。除組分設(shè)計(jì)外,目前尚無(wú)將兩種離子通過(guò)共沉淀的方法摻雜到鈦酸鉍中的報(bào)道。本發(fā)明在選擇組分設(shè)計(jì)的同時(shí)采用共沉淀法制備出BNTV超細(xì)粉體,并通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)獲得性能良好的復(fù)合摻雜鈦酸鉍(BNTV)陶瓷。
本發(fā)明提供的具有優(yōu)良物理性能的釹和釩復(fù)合摻雜鈦酸鉍粉體的組成通式為Bi4-xNdxTi3-yVyO12+y/2,式中x=0.1-1.0,y=0.01-0.1。本本發(fā)明優(yōu)先推薦的x值為0.1-0.56。發(fā)明是通過(guò)下列方式實(shí)施的:以純度不低于化學(xué)純的氧化釹(Nd2O3)、五氧化二釩(V2O5)、五水硝酸鉍(Bi(NO3)3·5H2O)、和鈦酸丁酯((C4H9O)4Ti)為起始原料,采用共沉淀法制備釹和釩復(fù)合摻雜的鈦酸鉍(BNTV)超細(xì)粉體。通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)獲得性能良好的復(fù)合摻雜鈦酸鉍(BNTV)陶瓷。
具體地說(shuō):
釹和釩復(fù)合摻雜的鈦酸鉍粉體的化學(xué)組成式為:Bi4-xNdxTi3-yVyO12+y/2,式中X=0.1-1.0,y=0.01-0.1,
(1)按照釹的摩爾數(shù)(x值)在0.1-1.0,釩的摩爾數(shù)(y值)在0.01-0.1范圍內(nèi)設(shè)計(jì)組分。
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