[發(fā)明專利]在Si基板上制備(110)取向鐵電薄膜的方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710040758.8 | 申請(qǐng)日： | 2007-05-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101060075A | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭益平;顧明元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 | 代理人： | 毛翠瑩 |
| 地址： | 200240*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | si 基板上 制備 110 取向 薄膜 方法 | ||
1、一種在Si基板上制備(110)取向鐵電薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟：
1)選擇LNO氧化物電極作為粘結(jié)層材料，在SiO2/Si基板上制備(100)取向的LNO粘結(jié)層，得到帶有LNO粘結(jié)層的LNO/SiO2/Si基板；
2)在帶有LNO粘結(jié)層的LNO/SiO2/Si基板上，通過物理濺射法制備(110)取向的Pt底部電極，得到Pt/LNO/SiO2/Si基板；
3)在Pt/LNO/SiO2/Si基板上，采用化學(xué)溶液法沉積BST薄膜，獲得(110)取向的BST鐵電薄膜。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的在Si基板上制備(110)取向鐵電薄膜的方法，其特征在于所述(100)取向的LNO粘結(jié)層的制備采用化學(xué)溶液法或物理濺射法。
3、根據(jù)權(quán)利要求1的在Si基板上制備(110)取向鐵電薄膜的方法，其特征在于制備(110)取向的Pt底部電極時(shí)，將帶有LNO粘結(jié)層的LNO/SiO2/Si基板安裝到磁控濺射爐中，待真空度達(dá)到1×10-4Pa以上后，開始升溫，基板溫度控制在500-700℃，濺射功率密度控制在0.1w/cm2-5w/cm2，氣氛采用氬氣或氬氣與氧氣的混合氣體，其中混合氣體中氧氣和氬氣的比例為1∶2-5，沉積時(shí)的氣壓為0.1-10Pa。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
