[發(fā)明專利]單分散三元硫?qū)倩顰gInS2的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710040756.9 | 申請(qǐng)日: | 2007-05-17 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN101054200A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜衛(wèi)民;錢雪峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) | 
| 主分類號(hào): | C01G15/00 | 分類號(hào): | C01G15/00;B82B3/00 | 
| 代理公司: | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 | 代理人: | 毛翠瑩 | 
| 地址: | 200240*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分散 三元 硫?qū)倩?/a> agins sub 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種三元硫?qū)倩顰gInS2的制備方法,尤其是涉及一種單分散三元硫?qū)倩顰gInS2的制備方法,采用化學(xué)溶劑熱法制備單分散的三元硫?qū)倩顰gInS2。屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
膠狀的無(wú)機(jī)納米晶體已經(jīng)吸引了許多領(lǐng)域研究人員的廣泛關(guān)注。這些納米晶體具有尺寸或形貌依賴的特性,經(jīng)常表現(xiàn)出一些不同于其體相材料的嶄新電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性質(zhì)。在眾多的納米晶中,膠狀的半導(dǎo)體硫化物已經(jīng)受到了更多的研究關(guān)注并取得了顯著的成就,因?yàn)檫@些半導(dǎo)體納米晶體表現(xiàn)出明顯的尺寸限域效應(yīng)和尺寸依賴的發(fā)光性質(zhì)。因此,這些半導(dǎo)體納米晶體已經(jīng)被應(yīng)用于許多的技術(shù)領(lǐng)域,如生物標(biāo)記和診斷、光發(fā)射二極管、電致發(fā)光設(shè)備、光伏太陽(yáng)能電池、激光器和單電子晶體管等。在過(guò)去的十年里,通過(guò)調(diào)節(jié)不同的前驅(qū)物、表面活性劑和溶劑體系,膠狀單分散的半導(dǎo)體二元硫化物已經(jīng)在有機(jī)液相高溫?zé)峤夥椒ǖ膸椭氯〉昧孙@著的成果。然而,與單分散二元硫化物的巨大成果相比,膠狀單分散三元硫化物的控制合成已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后了。I-III-VI2(I=Cu,Ag;III=Ga,In;VI=S,Se,Te)是一系列性能優(yōu)異的功能材料,其在光伏太陽(yáng)能電池、光發(fā)射二極管、線性和非線性光學(xué)儀器等方面有重要的應(yīng)用。其中,AgInS2是一種獨(dú)特的三元硫?qū)倩铮诘蜏?T<620℃)時(shí)形成四方相的黃銅礦結(jié)構(gòu),在高溫(T>620℃)時(shí)形成正交相結(jié)構(gòu)。而且,這兩種晶相具有略微不同的能級(jí):Eg四方=1.918和Eg正交=2.059eV。其在太陽(yáng)能電池和光電應(yīng)用領(lǐng)域有著誘人的前景。水熱或溶劑熱法、熱壁外延生長(zhǎng)法、化學(xué)濺射熱解法或高溫高壓培燒法等一般得到的是不規(guī)則形狀的產(chǎn)物或是嚴(yán)重團(tuán)聚的無(wú)規(guī)納米材料,有的甚至是體相材料。而金屬有機(jī)單分子前驅(qū)物熱解法雖然有時(shí)也能得到單分散的三元硫化物AgInS2納米晶,但是由于其所用單分子前驅(qū)物的合成過(guò)程非常繁瑣、生產(chǎn)成本很高和前驅(qū)物本身的劇毒性,使得該方法在應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)一步推廣受到極大的限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足,提供一種操作簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低、可以獲得單分散規(guī)則形貌的AgInS2納米晶的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)這樣的目的,本發(fā)明的技術(shù)方案中,以烷基胺為表面活性劑,以二硫化碳為硫源,以苯甲醚為反應(yīng)溶劑,采用化學(xué)溶液苯甲醚溶劑熱制備三元硫?qū)倩顰gInS2納米晶。首先將銀鹽、銦鹽、硫源及烷基胺溶于苯甲醚中,制備反應(yīng)液;然后將配制好的反應(yīng)液于溶劑熱條件下處理,即可得到形貌規(guī)則的單分散三元硫?qū)倩顰gInS2納米晶。
本發(fā)明的制備方法包括以下具體步驟:
①化學(xué)反應(yīng)液的制備:將銀鹽、銦鹽、表面活性劑烷基胺、二硫化碳混合溶于苯甲醚中,制備反應(yīng)液,其中銀鹽的濃度為0.01~0.05mol·l-1、銦鹽與銀鹽的摩爾比為1∶1、表面活性劑與銀鹽的摩爾比為6~15,二硫化碳與銀鹽的摩爾比為20~40。
本發(fā)明所說(shuō)的銀鹽為硝酸銀,銦鹽為氯化銦,所述的表面活性劑為十六胺、十八胺或油胺。
②單分散三元硫?qū)倩顰gInS2納米晶的合成:將反應(yīng)液移入帶有聚四氟乙烯內(nèi)膽的高壓反應(yīng)釜,于160-180℃溶劑熱處理12-24小時(shí)后,自然冷卻到約60-70℃,加入反應(yīng)液總體積20~30%的甲醇,然后將產(chǎn)物離心分離,用無(wú)水乙醇洗滌數(shù)次,真空抽干,即獲得單分散三元硫?qū)倩顰gInS2納米晶。
本發(fā)明的優(yōu)良效果是:
①由于采用了烷基胺為表面活性劑,使得AgInS2的納米晶體在生長(zhǎng)的過(guò)程中達(dá)到很好的控制生長(zhǎng),對(duì)AgInS2的納米晶體起到了較好的保護(hù)作用,防止了納米晶的團(tuán)聚,使之具有很好的尺寸分布和形貌均勻性。
②由于本發(fā)明采用了化學(xué)溶液法反應(yīng),原料便宜,操作簡(jiǎn)單、成本低、效率高,易于進(jìn)一步的工業(yè)生產(chǎn)。制備的AgInS2納米晶體為長(zhǎng)方體形狀,其尺寸大小為17±0.5納米,且可以在大范圍內(nèi)自組裝形成單層的納米超晶格。
附圖說(shuō)明
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