[發明專利]一種金屬引線的刻蝕方法無效
| 申請號: | 200710040652.8 | 申請日: | 2007-05-15 | 
| 公開(公告)號: | CN101308765A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 | 
| 發明(設計)人: | 樓豐瑞;張京晶 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768 | 
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 | 
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 引線 刻蝕 方法 | ||
1、一種金屬引線的刻蝕方法,用于一具有刻蝕腔及剝離腔的等離子刻蝕設備中,該剝離腔中設置有一用于放置晶圓的置放臺以及一用于抬升晶圓離開置放臺并支撐晶圓的抬升支撐機構,該方法包括以下步驟:(1)將需進行刻蝕的晶圓設置在刻蝕腔中,并通入氯氣進行刻蝕以形成所需金屬引線;(2)將刻蝕后的晶圓放置在置放臺上,并加熱該剝離腔至一預定溫度;(3)驅動剝離腔至一穩定狀態,并對該晶圓進行第一次鈍化;(4)進行光阻剝離;(5)驅動剝離腔至該穩定狀態,并對該晶圓進行第二次鈍化;其特征在于,該方法還包括步驟(6),通過抬升支撐機構將該晶圓抬升至離開置放臺的位置,再對該晶圓進行第三次鈍化。
2、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該抬升支撐機構與晶圓接觸的面積小于該置放臺與晶圓接觸的面積。
3、如權利要求2所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該抬升支撐機構為與晶圓相匹配且對稱分布的支撐柱。
4、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,在步驟(2)中,加熱剝離腔時剝離腔中的壓力為1200帕斯卡,氧氣流量為2000標準毫升每分,水蒸氣流量為1000標準毫升每分,該預定溫度為280攝氏度。
5、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該穩定狀態為剝離腔中的壓力為400帕斯卡,水蒸氣流量為1900標準毫升每分。
6、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,在步驟(4)中,剝離腔中的壓力為133.36帕斯卡,氮氣流量為280標準毫升每分,氧氣流量為4000標準毫升每分,微波功率為2000瓦,剝離時間為90秒。
7、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,進行鈍化時剝離腔中的壓力為400帕斯卡,水蒸氣流量為1900標準毫升每分,微波功率為2000瓦。
8、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該第一次鈍化的時間為45秒。
9、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該第二次鈍化的時間為10秒。
10、如權利要求1所述的金屬引線的刻蝕方法,其特征在于,該第三次鈍化的時間為30秒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





