[發(fā)明專利]多晶硅的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710040642.4
• 申請(qǐng)日: 2007-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN101308787A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪中山;金賢在
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/306;H01L21/336
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1、一種多晶硅的刻蝕方法，其特征在于，包括：

a)提供一基板，并在基板上形成一柵氧化層；

b)在所述的柵氧化層上依次淀積數(shù)層多晶硅層，且該數(shù)層多晶硅層的摻雜濃度依次減小；

c)對(duì)所述的數(shù)層多晶硅層進(jìn)行干法刻蝕，以形成垂直截面；以及

d)采用硝酸與氫氟酸對(duì)所述的數(shù)層多晶硅層進(jìn)行濕法刻蝕，以形成類倒梯形截面。

2、如權(quán)利要求1所述的多晶硅的刻蝕方法，其特征在于：步驟b)中在柵氧化層上淀積2～10層多晶硅層。

3、如權(quán)利要求1所述的多晶硅的刻蝕方法，其特征在于：通過改變多晶硅層的摻雜濃度或濕法刻蝕的反應(yīng)時(shí)間來調(diào)整多晶硅截面?zhèn)冗叺膬A斜程度。