[發明專利]晶圓上實現離子注入劑量和能量的匹配方法有效
| 申請號： | 200710040641.X | 申請日： | 2007-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN101308763A | 公開（公告）日： | 2008-11-19 |
| 發明（設計）人： | 許世勛;袁燕 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓上 實現 離子 注入 劑量 能量 匹配 方法 | ||
1.一種在晶圓上實現的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
a.?提供一片晶圓，劃分為數個區域；
b.?進行光照步驟，除選定區域外，其他區域被光刻膠覆蓋；
c.?對選定區域以第一條件的劑量和能量組合進行離子注入；
d.?移除光刻膠；
e.?循環進行步驟b、c、d，直至所述晶圓的數個區域均進行過以不同條件的劑量和能量組合的離子注入；
f.?測試所述數個區域的阻值，并與基準值比較，確定測試阻值最接近基準值的區域。
2.如權利要求1離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：所述晶圓劃分為九個區域。
3.如權利要求2所述的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：所述的不同條件的劑量和能量分別是預設劑量、預設劑量的90％，預設劑量的110％，預設能量，預設能量的90％，預設能量的110％，劑量和能量的兩兩組合獲得九種不同條件的劑量和能量組合，且以該九種組合條件分別注入所述九個區域。
4.如權利要求1所述的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：所述不同條件的劑量選擇預設劑量以及偏移預設劑量1％-10％的劑量。
5.如權利要求1所述的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：所述不同條件的能量選擇預設能量以及偏移預設劑量1％-10％的能量。
6.如權利要求1所述的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：在步驟f之前進行快速熱退火步驟。
7.如權利要求1所述的離子注入劑量和能量的匹配方法，其特征在于：移除光刻膠的步驟是采用灰化技術進行的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
