[發明專利]柵介質層測試控片及其形成方法有效
| 申請號： | 200710040598.7 | 申請日： | 2007-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN101303991A | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發明（設計）人： | 黃柏喻;陸肇勇;陸文怡;戰玉訊;丁敬秀;聶廣宇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質 測試 及其 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
在晶片上形成柵介質層；
在柵介質層上形成覆蓋柵介質層的掩膜層，用于防止測試機臺參數產生漂移；
所述掩膜層的厚度為1800埃～2300埃。
2.根據權利要求1所述的柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于：形成掩膜層的方法為化學氣相沉積法。
3.根據權利要求2所述的柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于：所述掩膜層的材料為多晶硅。
4.根據權利要求1所述的柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于：形成柵介質層的方法為熱氧化法。
5.根據權利要求4所述的柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于：所述熱氧化為在含氧氣氛中，在700℃～1000℃下，退火5分鐘～30分鐘，形成柵介質層。
6.根據權利要求5所述的柵介質層測試控片的形成方法，其特征在于：所述柵介質層的厚度為10埃～20埃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
