[發明專利]一種消除蝕刻圖形偏移的方法及裝置有效
| 申請號： | 200710040535.1 | 申請日： | 2007-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101303965A | 公開（公告）日： | 2008-11-12 |
| 發明（設計）人： | 汪新學;李先林;楊晨;黃永彬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01J37/32;H05H1/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 消除 蝕刻 圖形 偏移 方法 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種消除晶片蝕刻圖形偏移的方法，其特征在于：所述消除 晶片蝕刻圖形轉移的方法通過把等離子轟擊裝置中聚焦環配件鄰近 晶片邊緣的表面磨成倒角以保持等離子轟擊的方向，其中，所述倒角 的角度范圍為15°～80°，所述聚焦環配件鄰近所述晶片邊緣。
2.根據權利要求1所述的消除晶片蝕刻圖形偏移的方法，其特 征在于：所述倒角角度的取值為30°。
3.一種消除晶片蝕刻圖形偏移的裝置，其特征在于該裝置至少 包括：
下電極，為晶片提供托盤，并使晶片在蝕刻過程中保持恒溫；
聚焦環，將等離子體聚焦到晶片，并保護下電極；
所述聚焦環在下電極外圍且鄰近所述晶片邊緣，所述聚焦環的鄰 近晶片邊緣的表面磨成倒角以保持等離子轟擊的方向，其中，所述倒 角的角度范圍為15°～80°。
4.根據權利要求3所述的一種消除晶片蝕刻圖形偏移的裝置， 其特征在于：所述倒角角度的取值為30°。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
