[發(fā)明專利]改善MIM電容容量的方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710040296.X
• 申請日: 2007-04-29
• 公開（公告）號: CN101295634A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張永興;張復(fù)雄
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/314;H01L21/768;H01L23/532;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/08
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.一種改善MIM電容容量的方法，其特征在于，包括：

沉積一摻雜有高k值材質(zhì)的二氧化硅(SiO₂)層取代一單純的SiO₂層；

其中，所述高k值材質(zhì)為氮化硅(SiN)，該摻雜有高k值材質(zhì)的SiO₂層采用原子層沉積法(ALD)沉積。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述原子層沉積法的工作溫度為不高于400℃。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對于電容隨電壓變化參數(shù)(Vcc)，材質(zhì)SiN的Vcc和材質(zhì)SiO₂的Vcc具有相反符號的一次項Vc1。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所獲得的MIM電容容量提高50％以上。

5.一種改善MIM電容容量的裝置，其特征在于，包括：

摻雜裝置，形成一摻雜有高k值材質(zhì)的二氧化硅(SiO₂)；

沉積裝置，采用原子層沉積法沉積一所述摻雜有高k值材質(zhì)的SiO₂層一取代一單純的SiO₂層；

其中，所述摻雜裝置摻入的高k值材質(zhì)為氮化硅(SiN)。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述沉積裝置采用的原子層沉積法的工作溫度為不高于400℃。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，對于電容隨電壓變化參數(shù)(Vcc)，材質(zhì)SiN的Vcc和材質(zhì)SiO₂的Vcc具有相反符號的一次項Vc1。

8.如權(quán)利要求5-7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述裝置使所獲得的MIM電容容量提高50％以上。