[發明專利]通孔刻蝕方法及通孔掩膜有效
| 申請號： | 200710040254.6 | 申請日： | 2007-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101295643A | 公開（公告）日： | 2008-10-29 |
| 發明（設計）人： | 劉乒;沈滿華;尹曉明 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/308;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 方法 通孔掩膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種通孔刻蝕方法，包括：
提供通孔刻蝕基底；
在所述通孔刻蝕基底上形成圖形化的抗蝕劑層，所述圖形化的抗蝕劑層暴露部分所述通孔刻蝕基底；
應用沉積-刻蝕-沉積工藝形成輔助掩膜層，所述沉積-刻蝕-沉積工藝中應用高密度等離子體化學氣相沉積工藝，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝包括多次即時沉積-即時濺蝕過程，以控制所述輔助掩膜層的厚度和致密度，所述輔助掩膜層覆蓋所述圖形化的抗蝕劑層和所述圖形化的抗蝕劑層暴露的部分所述通孔刻蝕基底；
各向異性刻蝕所述輔助掩膜層，以在圖形化的抗蝕劑層側壁形成輔助掩膜，從而形成包含輔助掩膜的通孔掩膜；
利用所述通孔掩膜刻蝕所述通孔刻蝕基底，以形成通孔。
2.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述即時沉積過程的反應氣體包括碳氫氣體和氧氣。
3.根據權利要求2所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述碳氫氣體為丁烯。
4.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述即時濺蝕過程的反應氣體包括氟碳氣體。
5.根據權利要求4所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：所述氟碳氣體包括八氟化三碳、八氟化四碳、六氟化四碳或六氟化二碳中的一種及其組合。
6.根據權利要求1所述的通孔刻蝕方法，其特征在于：各向異性刻蝕所述輔助掩膜層時應用的刻蝕氣體為氧氣。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
