[發(fā)明專(zhuān)利]再分布結(jié)構(gòu)及其制作方法和再分布凸點(diǎn)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710040237.2
• 申請(qǐng)日: 2007-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101295688A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王繼明;李潤(rùn)領(lǐng);靳永剛;梅娜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/482
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)，其特征在于，包括：提供表面具有第一鈍化層的晶片；第一開(kāi)口，位于第一鈍化層內(nèi)并暴露出晶片上的布線(xiàn)層；再分布金屬層，位于第一鈍化層上并填充第一開(kāi)口；第二鈍化層，覆蓋再分布金屬層；第二開(kāi)口，位于第二鈍化層內(nèi)，并暴露出再分布金屬層，第一開(kāi)口和第二開(kāi)口錯(cuò)開(kāi)分布；凸點(diǎn)下金屬層，位于第二開(kāi)口內(nèi)并覆蓋再分布金屬層；凸點(diǎn)，位于凸點(diǎn)下金屬層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)，其特征在于，所述再分布金屬層材料為鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)，其特征在于，所述第二鈍化層為苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂或者聚酰亞胺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)，其特征在于，所述第一鈍化層為氮化硅或者氧化硅。

5.一種用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，包括：提供表面具有第一鈍化層的晶片，第一鈍化層具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口，位于第一鈍化層內(nèi)并暴露出晶片上的布線(xiàn)層；在晶片的第一鈍化層表面形成再分布金屬層，填充第一開(kāi)口并覆蓋第一鈍化層；在再分布金屬層表面形成第二鈍化層；在第二鈍化層上形成與第一開(kāi)口錯(cuò)開(kāi)分布的第二開(kāi)口，暴露出再分布金屬層；在第二開(kāi)口內(nèi)形成覆蓋再分布金屬層的凸點(diǎn)下金屬層；在凸點(diǎn)下金屬層上形成再分布凸點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，所述再分布金屬層材料為鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，所述第二鈍化層為苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂或者聚酰亞胺。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，所述第一鈍化層為氮化硅或者氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶片級(jí)封裝的再分布凸點(diǎn)的形成方法，其特征在于，在凸點(diǎn)下金屬層上形成再分布凸點(diǎn)的工藝包括：在凸點(diǎn)下金屬層上形成光刻膠層、并通過(guò)曝光和顯影形成光刻膠開(kāi)口，光刻膠開(kāi)口位置與第二開(kāi)口對(duì)應(yīng)；在光刻膠開(kāi)口位置的凸點(diǎn)下金屬層上形成焊料；去除光刻膠和凸點(diǎn)下金屬層；回流焊料形成再分布凸點(diǎn)。