[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料、制備方法、其用途及一種有機(jī)電致發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710040054.0
• 申請日: 2007-04-26
• 公開（公告）號: CN101295770A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂銀祥;郭鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海吉魯光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/00;H05B33/12;C09K11/06
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所
• 代理人: 余明偉

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料，其特征在于，由石墨和芳香叔胺按重量比0.01～5∶100組成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料，其特征在于，石墨與芳香叔胺的重量比為0.1～1∶100。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料，其特征在于，所述的芳香叔胺選自分子式如下的化合物：

(A)

或

(B)

或

(C)。

4.制備有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料的方法，其特征在于，將權(quán)利要求1-2任一權(quán)利要求所述的石墨和芳香叔胺混合均勻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料的方法，其特征在于，所述的芳香叔胺選自分子式如下的化合物：

(A)

或

(B)

或

(C)。

6.權(quán)利要求1-3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料在制造有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

7.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，其結(jié)構(gòu)依次由陽電極、空穴注入材料層、空穴傳輸材料層、發(fā)光層、電子傳輸層、負(fù)電極組成，所述的空穴注入材料層為權(quán)利要求1-3任一權(quán)利要求所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的空穴注入材料制成，所述的陰電極為LiF/Al雙電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的空穴注入材料層厚度為1～5nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的空穴傳輸材料層厚度為70～100nm，電子傳輸和發(fā)光層厚度均為70～100nm，LiF電極的厚度為0.4～1.5nm，Al電極的厚度為100～160nm。