[發明專利]硅基襯底碲鎘汞液相外延的生長方法及專用石墨舟

有效

• 申請號: 200710039950.5
• 申請日: 2007-04-25
• 公開（公告）號: CN101136340A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 徐慶慶;魏彥鋒;陳新強;趙守仁;楊建榮
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 郭英

1.一種硅基襯底碲鎘汞液相外延的生長方法，其步驟如下：

§A.復合襯底的制備

采用分子束外延方法在(211)晶向硅襯底上生長厚度為5um-8um的CdTe緩沖層；其特征在于：

再在CdTe緩沖層上利用磁控濺射技術生長一層250nm-300nm的SiO₂覆蓋層；

然后將上述襯底按石墨舟的底板的凹槽(4)尺寸進行切割；

再用磁控濺射技術在Si/CdTe復合襯底的Si表面上生長一層250nm-300nm的SiO₂覆蓋層；

再用氫氟酸緩沖液將CdTe表面生長的SiO₂覆蓋層腐蝕出生長HgCdTe外延薄膜的窗口，窗口距離Si/CdTe復合襯底表面邊緣1.5mm～2mm；

§B.HgCdTe外延薄膜的生長

外延薄膜采用水平推舟液相外延生長，將上述§A制備好的Si/CdTe復合襯底放入石墨舟底板的凹槽(4)內，HgCdTe母液放入石墨舟滑塊的凹槽(3)內，在復合襯底與HgCdTe母液接觸前，同時對其加溫到490℃，然后以恒定的速率0.1-0.2℃/min降溫至HgCdTe液相線溫度以下5℃，然后推動滑塊，使滑塊凹槽(3)的中心點與底板凹槽(4)的中心點重合，母液完全覆蓋在復合襯底的生長窗口上，再以恒定的速率0.1-0.2℃/min降溫生長外延薄膜，直至外延生長結束，生長總時間不超過20min。

2.根據權利要求1的一種硅基襯底碲鎘汞液相外延的生長方法，其特征在于所說的專用石墨舟由滑塊(1)、底板2和蓋板5組成，滑塊1置于底板2和蓋板5之間，滑塊和底板上各開有凹槽，滑塊凹槽(3)尺寸要正好與生長窗口相同，底板凹槽(4)尺寸要正好與切割后的Si/CdTe復合襯底相同。