[發明專利]淺溝槽隔離的溝槽形成方法和半導體結構有效

申請號：	200710039811.2	申請日：	2007-04-20
公開（公告）號：	CN101290874A	公開（公告）日：	2008-10-22
發明（設計）人：	朱旋	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L21/76;H01L23/00;H01L27/00
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司	代理人：	李文紅
地址：	201203***	國省代碼：	上海;31
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	溝槽隔離形成方法半導體結構
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種溝槽形成方法，包括：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底表面形成第一介質層；

在所述第一介質層表面形成第二介質層，所述第二介質層為氮化硅；

在所述第一介質層和第二介質層中形成定義溝槽位置的開口；

沉積覆蓋所述第二介質層和開口側壁以及底部的第三介質層，所述第三介質層為氮化硅；

刻蝕所述第二介質層和開口底部表面的第三介質層，刻蝕后開口側壁留下氮化硅層，所述氮化硅層的斷面為斜面，且斜面的傾斜角度為70度；

刻蝕所述襯底形成溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一介質層為氧化硅。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一介質層的厚度為

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二介質層的厚度為

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三介質層的厚度為

6.一種半導體結構，包括半導體襯底，在所述襯底表面形成的第一介質層，在所述第一介質層表面形成的第二介質層，在所述第一介質層和第二介質層中具有定義溝槽位置的開口，其特征在于：所述第二介質層為氮化硅，所述開口側壁具有第三介質層，所述第三介質層為氮化硅，所述第三介質層的斷面為斜面，且斜面的傾斜角度為70度。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于：所述第一介質層為氧化硅。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于：所述第一介質層的厚度為

9.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于：所述第二介質層的厚度為

10.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于：所述第三介質層的厚度為

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710039811.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。