[發(fā)明專(zhuān)利]一種可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710039787.2 | 申請(qǐng)日： | 2007-04-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101290882A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊林宏;陳亮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/285 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/285;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 均勻 柵極 氧化 制作方法 | ||
1、一種可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，該柵極氧化層制作在已制成淺溝道隔離結(jié)構(gòu)的硅襯底上，其包括第一氧化層及第二氧化層，其特征在于，該柵極氧化層的制作方法包括以下步驟：(1)通過(guò)熱氧化法在硅襯底上生成第一氧化層；(2)通過(guò)化學(xué)氣相沉積在該第一氧化層上生成第二氧化層。
2、如權(quán)利要求1所述的可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，其特征在于，在步驟(1)中，該熱氧化法為水蒸汽氧化，氧化溫度為900攝氏度。
3、如權(quán)利要求1所述的可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，其特征在于，在步驟(2)中，該化學(xué)氣相沉積為常壓化學(xué)氣相沉積，沉積溫度范圍為600至800攝氏度。
4、如權(quán)利要求1所述的可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，其特征在于，該柵極氧化層的厚度為1100埃。
5、如權(quán)利要求4所述的可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，其特征在于，該第一氧化層的厚度為400埃。
6、如權(quán)利要求4所述的可提高均勻性的柵極氧化層的制作方法，其特征在于，該第二氧化層的厚度為700埃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
