[發明專利]減小霍爾集成電路失調電壓方法及其裝置

有效

• 申請號: 200710039676.1
• 申請日: 2007-04-19
• 公開（公告）號: CN101290946A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 管慧;陳俊
• 申請（專利權）人: 上海鉅勝微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22
• 代理公司: 上海東方易知識產權事務所
• 代理人: 沈原

1.一種減小霍爾集成電路失調電壓方法，其特征在于，將霍爾單元 陣列位于芯片的中心部分，其他為霍爾單元服務的電路器件置于霍爾 單元陣列的周圍，并將霍爾單元陣列中的霍爾單元并聯聯接，每個霍 爾單元的周邊被重摻雜所形成的隔離帶和外延層所包圍。

2.一種裝置，使用如權利要求1所述的減小霍爾集成電路失調電壓 方法，該裝置包括一半導體P型基層襯底，以及在半導體P型基層襯 底上生長輕摻雜的半導體N型外延層，其特征在于：在半導體N型外 延層上還置有被重摻雜的半導體P型隔離帶，該隔離帶將半導體N型 外延層分割成至少三塊孤立的霍爾單元，且霍爾單元呈中心對稱排列 的陣列，各霍爾單元之間并聯聯接。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述的霍爾單元的周 邊還被外延層所包圍。

4.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述的霍爾單元的周 邊置有其他為霍爾單元服務的電路器件。

5.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述的霍爾單元形狀 為平面幾何形狀。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述的霍爾單元為矩 形或平行四邊形或三角形或扇形或圓形。

7.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述的霍爾單元的周 邊還置有能使其性能趨于均衡的缺口。