[發(fā)明專利]厚膜光刻膠清洗劑

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710039482.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-13
• 公開（公告）號(hào): CN101286017A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史永濤;彭洪修;劉兵;曾浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安集微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 上海虹橋正瀚律師事務(wù)所
• 代理人: 李佳銘

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝中一種清洗劑，具體的涉及一種光刻膠清洗液劑。

背景技術(shù)

在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過在二氧化硅、銅等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的掩模，曝光后利用濕法或干法刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。100μm以上的厚膜光刻膠越來越多地應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，因而用于有效清洗厚膜光刻膠的清洗劑成為半導(dǎo)體晶片制造工藝的重要研究方向。在對(duì)半導(dǎo)體晶片上的光刻膠進(jìn)行化學(xué)清洗的過程中，清洗劑常會(huì)對(duì)晶片基材造成嚴(yán)重的腐蝕，尤其是金屬基材的腐蝕，這往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。現(xiàn)有技術(shù)已公開的厚膜光刻膠清洗劑或多或少地均存在清洗效果不佳或晶片基材腐蝕的問題

專利文獻(xiàn)JP1998239865公開了一種堿性清洗劑，其含有四甲基氫氧化銨(TMAH)、二甲基亞砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。其使用方法為：將晶片浸入該清洗劑中，在50～100℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20μm以上的厚膜光刻膠。該清洗液對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的光刻膠，清洗能力不足。

專利文獻(xiàn)US5529887公開了一種堿性清洗劑，其含有氫氧化鉀、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水。其使用方法為：將晶片浸入該清洗劑中，在40～90℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗液對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。

專利文獻(xiàn)US5962197公開了一種堿性清洗劑，其含有氫氧化鉀、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇醚、水和表面活性劑。其使用方法為：將晶片浸入該清洗劑中，在105℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗液使用溫度較高，造成半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕。

專利文獻(xiàn)US2004025976和WO2004113486公開了一種堿性清洗劑，其含有季銨氫氧化物、水溶性有機(jī)溶劑、水、緩蝕劑和質(zhì)量百分含量小于1.0wt％的氫氧化鉀。其使用方法為：在20～85℃下，將晶片浸入該清洗劑中，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗液對(duì)厚膜光刻膠，尤其是厚膜負(fù)性光刻膠的清洗能力不佳。

專利文獻(xiàn)US5139607公開了一種堿性清洗劑，其含有氫氧化鉀、四氫呋喃醇、乙二醇和水。其使用方法為：在低于90℃的溫度下，將晶片浸入該清洗劑中，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗液對(duì)半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的厚膜光刻膠，清洗能力不足。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為解決厚膜光刻膠清洗工藝中現(xiàn)有清洗劑清洗能力不佳或?qū)母g性較強(qiáng)，而提供一種清洗效果較佳，且對(duì)基材腐蝕較弱的一種厚膜光刻膠清洗劑。

本發(fā)明的厚膜光刻膠清洗劑含有：二甲基亞砜、氫氧化鉀、苯甲醇和/或其衍生物、季銨氫氧化物和烷基醇胺。

其中，所述的二甲基亞砜的含量較佳的為質(zhì)量百分比35～96.98％，更佳的為質(zhì)量百分比45～95％；所述的氫氧化鉀的含量較佳的為質(zhì)量百分比1.01～5％，更佳的為質(zhì)量百分比1.05～2.5％；所述的苯甲醇和/或其衍生物的含量較佳的為質(zhì)量百分比1～30％，更佳的為質(zhì)量百分比5～20％；所述的季銨氫氧化物的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.01～5％，更佳的為質(zhì)量百分比0.5～4％；所述的烷基醇胺的含量較佳的為質(zhì)量百分比1～35％，更佳的為質(zhì)量百分比5～30％。

其中，所述的苯甲醇和/或其衍生物較佳的選自苯甲醇(BA)、二苯甲醇、三苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、對(duì)氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、間甲氧基苯甲醇、對(duì)甲氧基苯甲醇、芐氧基苯甲醇和二芐氧基苯甲醇中的一種或多種。苯甲醇或其衍生物能夠在晶片基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對(duì)基材的攻擊，從而降低基材的腐蝕。

其中，所述的季銨氫氧化物較佳的選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種。

其中，所述的烷基醇胺較佳的選自一乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺或羥乙基乙二胺(AEEA)中的一種或多種。

本發(fā)明中，所述的清洗劑還可含有極性有機(jī)共溶劑、水、表面活性劑和緩蝕劑中的一種或多種。