[發明專利]蕭特基二極管的制造方法無效
| 申請號： | 200710039425.3 | 申請日： | 2007-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN101286450A | 公開（公告）日： | 2008-10-15 |
| 發明（設計）人： | 馬惠平;劉憲周;張有志;孔蔚然;周雪梅 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蕭特基 二極管 制造 方法 | ||
1、?一種蕭特基二極管的制造方法，其特征在于包括以下步驟：
提供一具第一表面及第二表面的硅基板；
于該硅基板的該第一表面上形成一掩膜層；
以濕式刻蝕去除部分該掩膜層以開啟欲形成蕭特基二極管的區域；
沉積一鈷金屬層，并進行熱處理以與該硅基板反應形成一硅化金屬層；
移除未反應的該鈷金屬層；
于該硅化金屬層上形成一金屬層；
于該硅基板的該第二表面形成一金屬層。
2、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該硅基板為N型摻雜的硅基板。
3、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該硅基板的晶向為(100)。
4、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該掩膜層的材料為二氧化硅。
5、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該濕刻蝕使用緩沖氧化刻蝕液。
6、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該硅化金屬層同時具有硅化鈷與二硅化鈷。
7?根據權利要求6所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該二硅化鈷為晶向為(311)以外的二硅化鈷。
8、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該熱處理的溫度約為600℃。
9、?根據權利要求1所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該金屬層的材料為鋁。
10、?根據權利要求9所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該金屬層摻雜有微量銅。
11、?根據權利要求10所述的蕭特基二極管的制造方法，其特征在于：該銅的比例為0.5％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
