[發(fā)明專利]顯影工藝改善方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710039420.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101286014A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程蒙;陳進(jìn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/30 | 分類號(hào): | G03F7/30 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201203上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯影 工藝 改善 方法 | ||
1、?一種顯影工藝改善方法,其特征在于包括下列步驟:
(a)提供一顯影液噴灑臂,其上具至少一噴嘴以噴灑一顯影液于一芯片上;
(b)隨著該顯影液的上升,控制該噴嘴上移以與該顯影液的液面間的距離在1毫米至2毫米之間;
(c)利用一去離子水清洗該噴嘴。
2、?根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影工藝改善方法,其特征在于:該噴嘴以每秒70-80毫米的移動(dòng)速度于該芯片上方噴灑該顯影液。
3、?根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影工藝改善方法,其特征在于:該噴嘴對(duì)于該芯片的噴灑的次數(shù)為1次或2次或3次。
4、?根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影工藝改善方法,其特征在于:所述步驟(c)的去離子水清洗該噴嘴的時(shí)間至少5秒。
5、?根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影工藝改善方法,其特征在于:該顯影液是強(qiáng)堿溶液。
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G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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