[發明專利]摻銩鈥硅酸镥釔激光晶體及其制備方法

無效

• 申請號: 200710039413.0
• 申請日: 2007-04-12
• 公開（公告）號: CN101092747A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 趙廣軍;宗艷花;徐軍;曹頓華
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C30B29/34
• 分類號: C30B29/34;C30B15/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 張澤純

1、一種摻銩鈥硅酸镥釔激光晶體，特征在于其化學式為：

Tm_2xHo_2yLu_2-2(x+y+z)Y_2zSiO₅，簡寫為Tm/Ho:LYSO，其中x、y、z的取值范圍：0≤x≤0.06，0≤y≤0.02，0≤z≤0.5，具體包括：單摻Tm的LSO和LYSO晶體；單摻Ho的LSO和LYSO晶體；以及雙摻雜Tm和Ho的LSO和LYSO晶體。

2、權利要求1所述的摻銩鈥硅酸镥釔激光晶體的制備方法，特征在于該方法包括下列步驟：

<1>按Tm/Ho:LYSO的分子式Tm_2xHo_2yLu_2-2(x+y+z)Y_2zSiO₅中x、y、z的選擇范圍：0≤x≤0.06，0≤y≤0.02，0≤z≤0.5選定x、y、z后，按各組分的摩爾量稱取相應量的干燥的高于99.995％純度的Tm₂O₃、Ho₂O₃、Lu₂O₃、Y₂O₃和SiO₂原料；

<2>將上述稱取的各組分原料充分混合成均勻的混合粉料；

<3>將混合均勻的粉料，在1-5Gpa的壓力下壓成圓柱狀的料餅，料餅直徑略小于坩堝的直徑，在高于1100℃的溫度下進行燒結30小時；

<4>將燒好的料餅裝進爐膛中的銥金坩堝內，采用中頻感應加熱銥金坩堝內的料餅，使其完全熔化；

<5>采用硅酸镥晶體作籽晶進行提拉法生長，Tm/Ho:LYSO晶體的生長溫度為2000-2100℃，生長氣氛為N₂氣體，晶體生長速度為1-3mm/hr，晶體轉速為15-30RPM，晶體經過下種、縮頸、放肩、等徑、收尾，降溫等程序后，生長結束；

<6>從提拉爐內取出的Tm/Ho:LYSO激光晶體，在空氣氣氛中進行退火處理，退火溫度為1000-1300℃，保溫時間20-30小時，升降溫速度為30-50℃/hr。

3、根據權利要求2所述的摻銩鈥硅酸镥釔激光晶體的制備方法，特征在于所述的硅酸镥籽晶為a軸、b軸、c軸或者其它結晶方向的硅酸镥籽晶。