[發明專利]MOS晶體管失配特性的測量方法、版圖圖案及其形成方法

有效

• 申請號: 200710039249.3
• 申請日: 2007-04-03
• 公開（公告）號: CN101281877A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 黃艷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1.?一種金屬氧化物半導體晶體管失配特性的測量方法，其特征在于，包括：

生成至少一組包含兩個或兩個以上結構相同金屬氧化物半導體晶體管的第一版圖圖案；

至少生成一組與所述第一版圖圖案相同但擺放角度不同的第二版圖圖案；

將所述第一和第二版圖圖案轉移到半導體晶片上，在所述半導體晶片上生成至少兩組具有不同擺放角度的半導體器件，所述每一組半導體器件包含兩個或兩個以上結構及制造工藝相同的金屬氧化物半導體晶體管；

測量所述半導體器件中的金屬氧化物半導體晶體管的電性參數；

計算所述每一組半導體器件中結構及制造工藝相同的金屬氧化物半導體晶體管的電性參數的差異；

計算相同擺放角度半導體器件的所述差異的標準差，并比較不同擺放角度的半導體器件的所述標準差的大小。

2.?如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管失配特性的測量方法，其特征在于：所述半導體器件包括具有金屬氧化物半導體晶體管的靜態隨機存儲器的存儲單元、具有金屬氧化物半導體晶體管的電平轉換器、放大器、時鐘控制器中的一種或組合。

3.?如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述電性參數包括閾值電壓和飽和電流。

4.?如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述第一版圖圖案和第二版圖圖案之間的角度為大于0至小于180之間的任一角度。

5.?如權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述第二版圖圖案為三組，其與所述第一版圖圖案之間的角度分別為90、180、270度。

6.?一種金屬氧化物半導體晶體管失配特性的測量方法，其特征在于，包括：

提供半導體晶片；

在所述半導體晶片上生成至少兩組具有不同擺放角度的半導體器件，每一組所述半導體器件至少包含兩個結構及制造工藝相同的金屬氧化物半導體晶體管；

測量所述半導體器件中金屬氧化物半導體晶體管的電性參數；

計算所述每一組半導體器件中的結構及制造工藝相同的金屬氧化物半導體晶體管的電性參數的差異；

計算相同擺放角度半導體器件的所述差異的標準差，并比較不同擺放角度的半導體器件的所述標準差的大小。

7.?如權利要求6所述的金屬氧化物半導體晶體管失配特性的測量方法，其特征在于：所述半導體器件包括具有金屬氧化物半導體晶體管的靜態隨機存儲器的存儲單元、具有金屬氧化物半導體晶體管的電平轉換器、放大器、時鐘控制器中的一種或組合。

8.?如權利要求6所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述電性參數包括閾值電壓和飽和電流。

9.?如權利要求6所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述擺放角度為大于0至小于180之間的任一角度。

10.?如權利要求6所述的金屬氧化物半導體晶體管的失配特性的測量方法，其特征在于：所述半導體器件為四組，四組所述的半導體器件任意兩組之間的角度為90或180度。

11.?一種版圖圖案的生成方法，其特征在于，包括：

生成至少一組包含兩個或兩個以上相同金屬氧化物半導體晶體管的第一版圖圖案；

至少生成一組與所述第一版圖圖案相同但擺放角度不同的第二版圖圖案。

12.?如權利要求11所述的版圖圖案的生成方法，其特征在于：所述第一版圖圖案和第二版圖圖案之間的擺放角度為大于0至小于180之間的任一角度。

13.?如權利要求11所述的版圖圖案的生成方法，其特征在于：所述第二版圖圖案為三組，其與所述第一版圖圖案之間的角度分別為90、180、270度。

14.?一種權利要求11所述的方法生成的版圖圖案，用于金屬氧化物半導體晶體管失配特性的測試，其特征在于，包括：

至少一組包含兩個或兩個以上相同金屬氧化物半導體晶體管的第一版圖圖案；

至少一組與所述第一版圖圖案相同但擺放角度不同的第二版圖圖案。