[發(fā)明專利]衰減式相位移光罩的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710039201.2 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101281359A | 公開(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 衰減 相位 移光罩 制造 方法 | ||
1.?一種衰減式相位移光罩的制造方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
a.提供光罩基片,其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相層,移相層上形成原始圖形;
b.對(duì)光罩基片進(jìn)行模擬偵測(cè)步驟,采用比實(shí)際照射該光罩基片的光束強(qiáng)度高的光束進(jìn)行照射,在移相層上出現(xiàn)亮度環(huán)的位置做標(biāo)記圖形;
c.在移相層上鍍不透光薄膜,覆蓋所述標(biāo)記圖形。
2.?如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:步驟b中還包括將所述標(biāo)記圖形拓展為規(guī)則的正多邊形。
3.?如權(quán)利要求2所述的制造方法,其特征在于:步驟b是以建模的方式輸入模擬裝置中,對(duì)移相層偵測(cè)亮度環(huán)位置做標(biāo)記圖形的,然后自動(dòng)將標(biāo)記圖形拓展為規(guī)則的正多邊形。
4.?如權(quán)利要求1所述的制造方法,其特征在于:步驟c中的不透光薄膜為鉻薄膜。
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- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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