[發明專利]確定最佳高頻偏壓值的方法

有效

• 申請號: 200710039183.8
• 申請日: 2007-04-06
• 公開（公告）號: CN101280424A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 肖春光;鄭金福;張玉;李彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/513
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.?一種確定最佳高頻偏壓值的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

a.選擇若干待測試的晶圓；

b.測試每一個晶圓在不同高頻偏壓值下反應腔內的微塵顆粒的數量；

c.測試每一個晶圓在不同高頻偏壓值下的反應腔體的溫度；

d.在不影響反應腔內溫度穩定性的前提下，選擇反應腔內的微塵顆粒數量最少的高頻偏壓值作為最佳高頻偏壓值。

2.?如權利要求1所述的一種確定最佳高頻偏壓值的方法，其特征在于：步驟c首先設置一個高頻偏壓值，將待測試晶圓依次送入反應腔內反應，測試每一個晶圓反應后反應腔內的微塵顆粒數量，然后再設置一個高頻偏壓值，重復上述步驟。

3.?如權利要求1所述的一種確定最佳高頻偏壓值的方法，其特征在于：步驟d首次設置一個高頻偏壓值，將待測試晶圓依次送入反應腔內反應，測試每一個晶圓反應后反應腔內的溫度，然后再設置一個高頻偏壓值，重復上述步驟。

4.?如權利要求3所述的一種確定最佳高頻偏壓值的方法，其特征在于：步驟d在測試反應腔溫度之前先結束SiH₄(四氫化硅)的充入。

5.?如權利要求1或3所述的一種確定最佳高頻偏壓值的方法，其特征在于：在不同的高頻偏壓值下，選擇反應腔內溫度變化較為平緩作為可保證反應腔內溫度穩定性的前提。