[發明專利]用于提高聚酰亞胺基底鍍鍺膜低溫防靜電性能的方法無效
| 申請號： | 200710038437.4 | 申請日： | 2007-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN101275216A | 公開（公告）日： | 2008-10-01 |
| 發明（設計）人： | 馮煜東;王藝;王志民;速小梅;趙概 | 申請（專利權）人： | 中國航天科技集團公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分類號： | C23C14/20 | 分類號： | C23C14/20;C23C14/24;C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海藍迪專利事務所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 730030甘*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 提高 聚酰亞胺 基底 鍍鍺膜 低溫 靜電 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種用于提高聚酰亞胺基底鍍鍺膜低溫防靜電性能的方法，其特征在于它包括下列步驟：
(1)對鍺靶材進行微量摻雜，并確定摻雜雜質類型、摻雜含量；
(2)根據上述確定結果制備靶材；
(3)通過氣相沉積法制備柔性基底鍍鍺膜。
2.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟(1)所述的摻雜雜質類型為n型雜質的P、As；P型雜質的B、Ga；摻雜含量為有效雜質載流子濃度1.0×1011cm-3～1.0×1013cm-3。
3.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟(2)所述靶材的制備包括電子束蒸發鍍用原料及磁控濺射用磁控靶的制備。
4.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟(3)所述的氣相沉積法為電子束蒸發鍍、射頻濺射及直流磁控濺射法。
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